据英诺赛科官微消息，截至2023年8月，英诺赛科氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗，在消费类（快充、手机、LED）、汽车激光雷达、数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。
得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟，英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%，累计出货量成功突破3亿颗！
同时，依靠8英寸硅基氮化镓IDM全产业链的优势，英诺赛科40V/100V/150V低压平台也已全面升级， 40V双向导通产品、100V半桥驱动合封产品等多系列产品相继发布，为其在汽车、数据中心、工业与新能源等领域的拓展中做足准备。
据yole预测，2027年氮化镓在消费类领域的市场规模将达到9.647亿美元，年复合增长率达到52%，消费行业将占整个行业的48%。以快充为代表的消费类领域仍然是氮化镓应用的主要驱动力。
氮化镓相较前两代的硅、砷化镓材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。氮化镓的结电容仅为硅的1/5，反向恢复电荷及恢复时间仅为硅的1/10，因此氮化镓在减小体积和重量的基础上，可以有效降低电源系统的开关损耗，提高工作频率和功率密度，实现系统高性能的升级。
除了庞大的消费电子市场，数据中心、汽车电子、新能源领域在AI、通信、自动驾驶、储能等新技术的推动下，形成了氮化镓相关器件的需求趋势，机构分析指出，英飞凌收购GaN Systems正体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景。目前国内头部车企已经率先将英诺赛科氮化镓用于车载激光雷达产品上，并实现量产。
数据中心早已对氮化镓趋之若鹜。一方面，在PUE逐渐成为新数据中心建设、旧数据中心改建的硬性指标后，基于氮化镓的服务器电源在实现更高功率密度的同时，更容易做到钛金级别的能效。另一方面，与汽车48V汽车系统一样，数据中心供电架构也面临转变。对于云服务厂商来说，48V DC/DC转换器带来的体积优势，将进一步为数据中心降本增效。在今年三月份展会现场，英诺赛科对全链路氮化镓数据中心解决方案做了全面介绍，并在现场展示采用InnoGaN 设计的全套方案，包括钛金级2KW PSU，48V-12V 600W/1000W 电源模块等，据介绍，全链路氮化镓方案能够帮助数据中心供电系统减少50%的损耗。
随着氮化镓技术的不断升级和迭代，各厂商的氮化镓产品也逐渐丰富起来，而新市场、新领域的应用需求也对氮化镓的性能、产能及成本提出了更高的要求。以英飞凌、英诺赛科、安世半导体为代表的氮化镓IDM企业或将成为供应主力。但英飞凌、安世半导体等仍停留在6英寸规模。英诺赛科是全球唯一一家8英寸硅基氮化镓IDM厂商，当前产能可达到每月10000片，相比之下，其产品在规模化量产和性价比方面优势更为明显，集设计、研发、生产、销售于一体，也更能实现产品快速迭代，加速实现氮化镓行业生态的构建。
截至2023年8月，英诺赛科成功量产高压氮化镓芯片（650V-700V）54 款，中低压氮化镓芯片（30V-150V）20 款，产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。英诺赛科不断发布新品及应用信息，也正昭示着其在从消费电子领域，向汽车、数据中心、工业与新能源等领域市场大力拓展并加速迈进。
以下是英诺赛科产品及应用领域的发展大事记：
》》从第一款产品诞生到多形态产品衍生
2017年11月，英诺赛科开启全球首条 8 英寸硅基氮化镓量产线，采用IDM全产业链模式，成功研制 8 英寸硅基氮化镓晶圆。
2018年5月，英诺赛科第一款低压氮化镓功率器件上市。
2019年6月，英诺赛科650V 高压氮化镓器件通过JEDEC。自此，英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。
2021年3月，英诺赛科双向导通芯片 V-GaN 正式量产，是全球唯一一款可应用于高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。
2022年11月，英诺赛科 INN100W032A 荣获IIC全球电子成就奖，该产品栅极电荷仅为 Si MOS 的20%，Ciss仅为 Si MOS 的 40%，可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。
2023年1月，英诺赛科推出100V高集成半桥驱动合封芯片SolidGaN- ISG3201，进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能。
2019年，英诺赛科650V 器件正式进入快充市场。随后得到华硕、安克、努比亚、倍思、绿联、闪极等多个终端品牌采用，应用于30W-120W氮化镓快充产品。
2020年，英诺赛科100V 低压GaN 成功导入禾赛激光雷达并实现量产，驱动激光器实现更短时间内的图像传输。
2021年3月，腾讯×努比亚红魔手机6Pro发布，其标配的业界首款120W黑魔方氮化镓快充内置英诺赛科650V芯片。随着Oppo、Vivo、联想等厂商的相继采用，手机标配氮化镓快充成为行业趋势。
2021年10月，英诺赛科自主研发的双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机，成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。Realme、一加、联想、摩托罗拉等手机也相继采用VGaN实现充电保护，氮化镓在消费类电子开拓了新应用空间。
2022年5月，首诺信的发布全球最小的45W/65W PD 车充，采用英诺赛科40V低压产品INN040FQ043A。
2022年7月，安克联合英诺赛科共同发布全球首款65W全氮化镓快充，独创的全氮化镓技术首次在AC和DC端同时采用氮化镓功率芯片，使系统功率密度和效率达到了全新高度。
2022年10月，英诺赛科氮化镓首次在工业电源产品上实现大规模量产，全面提升能源转换效率，降低系统能耗。
2023年4月，英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用，成功进入汽车激光雷达市场。
2023年7月，英诺赛科开始将氮化镓应用于新能源光伏发电领域，进一步缩小了模块体积，提高系统效率，与合作伙伴共同打造轻便、高效的光伏产品。
英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超3亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。
英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！
来源：英诺赛科、充电头网等公开资料整理，仅供参考！
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