多国宣布技术突破，第四代半导体真的来了？

为了满足高性能、低成本的需求，第四代半导体成为关注的对象，10月11日，一家俄罗斯公CRokor也宣布开发了一项生产单晶氧化镓晶圆的突破性技术，据了解此方法摆脱了对传统制造方法至关重要且昂贵材料铱的需求，这将显著降低生产成本，据估计可能降低三到七倍，目前Rokor表示正准备应用此技术投入生产。10月8日，东京农工大学与大阳日酸CSE联合推出一种名为“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”的技术，可以通过充满气态原料的密闭装置，在基板上形成氧化镓晶体。

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料，其在功率器件和光电领域应用潜力巨大。氧化镓的导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，意味着氧化镓能适应更高压、损耗更低，有数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3，这将有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。

上市公司中，$风华高科(SZ000636)$风华高科年报其他收益科目中，显示有“宽禁带氧化镓单晶材料与器件”项目。$南大光电(SZ300346)$南大光电是全球主要的MO源供应商，部分产品可以用于制备氧化镓。

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