HBM概念持续活跃，华海诚科20cm涨停，鼎龙股份掌握HBM之underfill关键技术和TSV硅穿工艺

HBM概念持续活跃，华海诚科20cm涨停，鼎龙股份掌握HBM之underfill关键技术和TSV硅穿工艺。

HBM概念持续活跃，华海诚科20cm涨停，壹石通大涨10%，赛腾股份、微导纳米、雅克科技等跟涨。媒体报道，随着AI芯片竞争的加剧，全球最大的两家存储器芯片制造商三星和 SK 海力士正准备将HBM产量提高至 2.5 倍。除了韩国双雄以外，全球第三大 DRAM 公司美光也将从 2024 年开始积极瞄准HBM市场。

 HBM两个关键技术点：TSV+underfill

鼎龙MUF先进封装粘胶underfill和硅穿TSV工艺是HBM必备

HBM3E存储芯片是高算力CPU之必配，英伟达、AMD、亚马逊等巨头排队抢货，供不应求，HBM3E率先涨价，其中Hynix HBM涨幅高达500%。

 HBM两个关键技术点：TSV+underfill

HBM采用堆叠式必杀技TSV，TSV全称为Through Silicon Via，是一种新型三维堆叠封装技术，主要是将多颗芯片(或者晶圆)垂直堆叠在一起，然后在内部打孔、导通并填充金属，实现多层芯片之间的电连接。TSV+underfill先进封装的标的寥寥可数。

鼎龙MUF先进封装粘胶underfill和硅穿TSV工艺也是HBM必备, 实力不输华海诚科，且取得订单，华海公司表示应用于HBM的封装材料已通过部分客户认证，尚未实现订单！

重点关注：华海诚科，鼎龙股份、壹石通、雅克科技、香农芯创等。

鼎龙股份，暂被忽视，终将辉煌！

$华海诚科(SH688535)$ $壹石通(SH688733)$ $雅克科技(SZ002409)$