从英伟达H200芯片中的封装技术和HBM芯片看通富微电

这两天英伟达号称“地表最强”的H200芯片热度很高，我研究了一下这个芯片之所以敢称自己是“地表最强”有两个关键技术：

一是台积电CoWoS先进封装技术，这项技术也是2.5D封装的典型技术，CoWoS封装技术通过将多个芯片层堆叠在一起并集成在同一块晶片上，从而实现了更高的性能密度和功耗效率；

二是头部存储厂商持续迭代的HBM（高带宽存储）的应用，这也是首款采用HBM3，也就是高频带宽存储器的GPU，这就使得带宽从H100的3.35tb/秒，提高到4.8TB，提高了1.4倍，存储器总量从80GB提高到141GB，容量提高了1.8倍，同时推理的能耗大幅降低了。

而且从今年年初开始，因为AI服务器需求爆发，HBM芯片就一直在涨价，有消息说，与最高性能的DRAM相比，HBM3的价格上涨了5倍。

这也是为什么近期市场都在热炒先进封装和存储芯片。但其实，存储芯片和先进封装之间有个“交叉点”。

近期有很多投资者涌进通富微电的互动易平台，追问公司有关HBM的相关布局。

虽然公司目前还没有给出答复，但从以往公司与投资者的互动、以及公司的年报和半年报可以看出，公司在2.5D封装和存储芯片方面有着较强的技术积累。

据11月9日，公司在互动易平台的回复可以看出，公司在存储器封装方面已经有着相对成熟的布局。

其次，从今年10月底，公司的回复也可以看出：通富微电在2.5D先进封装领域也具备了差异化竞争优势，而台积电所用的CoWoS封装正是2.5D封装典型技术。

未来随着AI、人工智能以及无人驾驶等等应用的进一步爆发，先进封装以及HBM芯片的需求激增已成必然，那么同时具备GPU封装能力以及HBM等存储芯片的企业，也必然成为我们绕不开的选择。