$赛微电子(SZ300456)$  


本发明公开了一种微系统薄膜平坦化方法,其中微系统薄膜平坦化方法包括:在图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层;然后,对硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理;最后,抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层,至硼磷硅玻璃层达到预设厚度。通过退火处理可有效的使硼磷硅玻璃回流,降低阶梯差;同时,使掺杂的硼(B)和磷(P)可以在不同的界面得到修复,形成均匀的浓度;在进行抛光处理时,由于牺牲层的稳定性更高,阶梯差更小,就可提高抛光速度降低抛光量,使得牺牲层薄膜的厚度、平坦度及稳定性得到有效控制;同时,也可节省大量的CMP耗材,比如抛光垫、抛光液、修整器等等,并且产出更高,经济效益十分明显。

2024-05-19 10:51:26 作者更新了以下内容



2024-05-19 16:41:05 作者更新了以下内容



追加内容

本文作者可以追加内容哦 !