通威高纯度硅料早已布局碳化硅赛道

通威微电子成立于2021年9月，是全球光伏新能源领域龙头企业通威集团旗下控股子公司，主要从事于第三代半导体（SiC）材料的研发制造，专注于碳化硅衬底的研发、制造与销售。
目前，通威微电子已成功研发出6英寸、8英寸导电型碳化硅晶体及衬底片，主要应用于新能源汽车、光伏发电及储能、直流快充充电桩等领域。6英寸衬底片已向下游多家外延客户完成送样验证，验证结果良好，质量指标满足MOS级要求；8英寸衬底片正在进行送样验证。
左：6英寸N型4H-SiC晶体；右：8英寸N型4H-SiC晶体
左：6英寸N型4H-SiC衬底片，右：8英寸N型4H-SiC衬底片
通威集团成立于1996年10月，是全球光伏行业首家世界500强企业，现拥有300余家分、子公司。此前，通威集团2023年年度管理干部述职会议上，集团禚玉娇总裁表示，当前，集团跨界半导体产业，通威微电子承担着集团再次跨界的历史重任，集团过往值得复制的成功经验，对微电子团队的理念、行动产生了积极的影响和意义，两年来，通威微电子不断明确发展目标、优化发展思路。
目前，通威微电子已形成从粉料合成、晶体生长到衬底加工的完整自主知识产权技术体系，技术成果经国家工业信息安全发展研究中心评价为：具有自主知识产权，总体技术达到国内先进，其中粉料制备技术达到国内领先。
项目进展方面，成都市双流生态环境局于2023年11月公示了通威新型晶体材料研发中心项目的环评文件，目前已通过审批。
文件表明，该项目建设单位为通威微电子，项目投资1.5亿元，主要建设内容为租用3300平方米的现有厂房，并依托该厂现有附属配套设施，配置新型晶体材料—SiC衬底片研发试验设备，将设计研发6英寸、8英寸SiC衬底片。