锑化物半导体当之无愧地占据了第四代半导体的核心地位。锑化物半导体作为经典的Ⅲde

锑化物半导体当之无愧地占据了第四代半导体的核心地位。锑化物半导体作为经典的ⅢdeⅤ体系，在本世纪初再次受到广泛关注。自2009年以来，锑化物半导体材料和器件在国外被列为出口封锁限制技术。这是因为锑化物半导体在开发低体积、轻重量、低功耗和低成本的下一代器件方面具有不可替代的优势，可以满足极其苛刻的应用要求。它们是红外成像的热门候选材料，红外成像是一个包括民用和国防在内的细分领域。
你为什么对锑化镓感兴趣？
III-V族材料属于复合半导体，以砷化镓（GaAs）和磷化铟（INP）为代表的第二代半导体材料；它还包括近年来非常流行的第三代半导体材料，例如氮化镓（GAN）、碳化硅（SIC）、氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga2O3）；它还包括第四代半导体技术系统，这似乎是安静和密切观察在国内外：锑化镓和砷化铟化合物半导体窄带隙；超宽带隙氧化物材料；和其他低维材料（如碳基纳米材料、二维原子晶体）等。
几年前，锑化镓在半导体材料领域的研究远不如砷化镓、磷化铟等半导体材料深入，主要是因为过去使用较少。近年来，这种材料引起了越来越多的兴趣，主要是由于光纤通信技术的发展，这对新设备有着更大的潜在需求。