三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼(Mo)。
消息人士称,三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺,并且计划明年再引进20台此类设备。
与六氟化钨(WF6)不同的是,钼前驱体是固体,需要使用这些设备将其加热到600摄氏度,以转化为气体。
在三星的第9代V-NAND生产中,一种应用使用钨(W),另一种应用使用钼。三星在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构中使用钼代替钨。
钼用于提高晶体管内的电阻率,从而允许在NAND中堆叠更多层。
行业已经达到使用钨降低层高度的极限,使用钼可以将层高进一步降低30%~40%。使用钼还可以降低NAND的延迟。
三星决定使用钼意味着NAND材料价值链将经历一些变化。
三星正在从英特格(Entegris)和Air Liquide采购钼,而默克也已向芯片制造商提交样品。
除了三星,SK海力士、美光和铠侠也计划在其NAND生产中采用钼。
这意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。钼的价格是六氟化钨的十倍。韩国半导体材料公司SK Trichem、Hansol Chemical、Oceanbridge等也因此在开发钼。
同时,除了NAND,钼前驱体也有望用于DRAM内存和逻辑芯片。
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