1、《三星HBM3e 英伟达认证情况、对手良率、产能进度等交流纪要摘要


在4-5月期间,M公司在TCB bonding工序中出现配方问题,影响了约10天的产能,预计赔偿6-7亿美元。M公司主要客户为英伟达,供给H200产品。

英伟达H200部分客户订单被取消,因HBM3e供货问题,主要是M公司的良率不到60%,而海力士良率已超过80%。

M公司在HBM3e生产过程中面临材料与机台问题,导致良率较低,影响了与英伟达的合作。尽管采取了一些改进措施,但良率提升仍存在挑战,短期内产能和良率的提升需要进一步努力。未来在HBM4及Hybrid bonding技术上的进展仍需观察。


2、《存储行业调研纪要摘要


Q1末,原厂库存从10-12周降至8-10周,代理商库存从6-8周降至4-6周。2024年初,公司库存接近20周,客户端库存为8-10周,机顶盒客户库存接近12周。Q1结束后库存降至约8周。

SOC和密集型存储库存维持健康水平。Q2期间,库存消耗加快,4月份假期导致库存积压,月底后库存松动。5月后客户大量提货,库存迅速下降。

三星和海力士主导市场,华邦和兆易创新主要生产2GB和1GB产品,短期内难以大幅增长。随着三星和海力士退出DDR3市场,DDR3产能难以补充,部分客户需升级到更高端产品。长期趋势向DDR4和DDR5转移。

今年年底或明年上半年SOC市场涨价可能停滞,当前涨价主要由大陆市场推动。AI终端需求将支撑产品价格,预计今年下半年开始涨价,明年将迎来丰收年,尤其是随着行长退出市场,产能缺口扩大。

密集型存储市场主要由价格驱动,大陆厂商可能短期内通过价格竞争获得市场份额,但由于产能限制难以持久。长期来看,三星、海力士、美光将继续占据主要份额,大陆厂商作为补充,占不到20%市场份额。

在ATM模式下,资金和技术不是主要问题,而是产能来源。除了合肥长兴提供一定产能外,大陆其他厂商难以找到新产能来源。

尽管毛利率有所改善,整体成本也上升。SLC领域毛利率提高,但例行低温业务仍在亏损。今年上半年持续亏损,亏损额有所减少。公司依赖密集型低位业务盈利,预计第四季度可能扭亏为盈。


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