25亿！万年晶第三代半导体项目已投产

7月19日，据“上饶市人民政府发布”官微消息，今年二季度，投资25亿元的万年晶第三代半导体项目已正式投产。 据悉，万年晶半导体是江西首家蓝宝石基功率器件研发、生产和销售厂商，主营第三代半导体高电子迁移率晶体管芯片，可广泛应用于数据中心、储能、汽车电子等领域。

source：上饶广播电视台 据此前消息，万年晶第三代半导体项目投产后将成为江西省首个量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂，年产量达20万片。 近期，氮化镓产业热度持续上涨，在合作、产品、项目等方面频频传出新动态。 合作方面，5月28日，佳恩半导体与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛举行。此次合作，双方将共同研究开展氮化镓功率器件结构设计与特性仿真，获得器件优化结构及参数，基于氮化镓器件制造平台开展器件核心工艺实验研究、工艺参数优化及器件样品研制，针对氮化镓功率器件特点，开展器件仿真研究，揭示器件特性与结构的内在关联，开展氮化镓功率器件的栅结构及栅金属、欧姆接触、钝化层等核心工艺研究。 5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）与中国台湾绿能与环境研究所（ITRI）签署了谅解备忘录，在为USB-PD适配器开发高性能氮化镓解决方案方面加强合作。 产品方面，5月30日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出三款氮化镓驱动器产品，分别是INS1001DE（单通道驱动器）、INS2001FQ（半桥驱动器）和INS2001W（半桥驱动器），可广泛应用于数据中心、汽车电子、电池化成、太阳能微逆、马达驱动等多个领域。 6月19日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry（启方半导体）宣布，公司已确认650伏氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的特性，正加大开发力度，预计年内完成开发。 项目方面，今年4月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建氮化镓外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸氮化镓外延片的生产能力。 5月13日，埃特曼半导体全资子公司埃特曼（厦门）光电科技有限公司举行了埃特曼半导体厦门外延工厂开业仪式。根据集美产业投资官微消息，该工厂是埃特曼半导体打造的第二个示范外延工厂，将生产高性能、低成本的氮化镓外延片。

集邦化合物半导体Zac整理

TrendForce集邦咨询推出《2024全球GaN功率半导体市场分析报告》，聚焦全球市场发展，重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录：