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近日,德国研究所Fraunhofer IISB在碳化钽涂层技术的研发上取得了突破,开发了一种喷雾涂层方案,具有优于CVD沉积方案的灵活性及环保性,并且已实现商用。

而国内的恒普技术在该领域也早有突破,具体请往下看。

Fraunhofer IISB:

开发全新TaC涂层技术

3月5日,据媒体“Compound Semiconductor”报道,Fraunhofer IISB 开发了一种全新碳化钽(TaC)涂层技术——Taccotta,目前该技术许可已转让给Nippon Kornmeyer Carbon Group(NKCG),NKCG开始为他们的客户提供TaC涂层的石墨部件。

目前行业内传统的生产TaC涂层的方法是化学气相沉积法(CVD),这项技术面临着高制造成本、交货时间长等缺点。此外,CVD法还容易在组件的重复加热和冷却过程中导致TaC出现裂纹,这些裂纹暴露了底层的石墨,随着时间的推移会严重降解并需要更换。

而Taccotta的创新之处在于它采用了一种水基喷雾涂层方法,随后进行温度处理,从而在石墨基材上形成一层具有高机械稳定性和可调节厚度的TaC涂层,涂层的厚度可以在20微米到200微米的范围内调整,以适应不同的应用需求。

Fraunhofer IISB开发的TaC工艺技术可以调整所需的涂层性能,例如厚度,如下所示在 35m 至 110 m的范围内

具体来看,Taccotta喷雾涂层还具有以下关键特点和优

 更环保:采用水基喷雾涂层,这种方法更加环保和易于工业化;

 灵活性:Taccotta技术能够适应不同尺寸和几何形状的组件,允许部分涂层和组件翻新,这在CVD中无法实现。

 减少钽污染:使用Taccotta涂层的石墨组件用于SiC外延制造中,与现有CVD涂层相比,钽污染减少了75%

 耐磨性:通过划痕测试显示,涂层厚度的增加可以显著提高耐磨性。

划痕测试

据悉,该技术已由NKCG推动实现商业化,NKCG是一家专注于提供高性能的石墨材料和相关产品的合资企业,未来还将长期参与到Taccotta技术的开发当中,目前该公司已开始向他们的客户提供基于Taccotta技术的石墨部件。


恒普技术推动TaC国产化

现已参编《2024白皮书》

据“行家说三代半”了解,国内也有一家企业实现TaC技术突破——

2023年年初,恒普技术推出了全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽,实现了全球首发。

据介绍,恒普技术通过自主技术研发,突破性地推出大孔隙率的多孔碳化钽,其孔隙率最大可以做到75%,实现了国际领先

值得一提的是,恒普技术已正式参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布,届时也将深入展示恒普技术的SiC最新进展和布局。


除了恒普技术外,合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、华卓精科、快克芯装备、青禾晶元、东尼电子、科友半导体、长联半导体、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、中电化合物、森国科、清软微视等企业已确认参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,期待更多SiC领域的行家企业加入,共同推进碳化硅半导体产业发展,了解更多详情请扫描海报二维码


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