融资2.6亿，这家1200V氮化镓将量产落地

近日，又有一家GaN企业宣布实现了1200V GaN器件的突破，并已将量产计划提上日程。

7月24日，韩国半导体企业Apro semi宣布，他们成功开发了8英寸1200V级的氮化镓（GaN）外延片技术，现如今公司已成功吸引了大规模投资，计划在年底开始量产GaN外延片。

据介绍，Apro semi自2021年引进了8英寸GaN生长所需的MOCVD设备后，研究团队就一直在推进外延片的开发。经过大约三年的研发，他们成功实现了1200V级的高压GaN外延片，最大耐压（击穿电压）达到1600V。这种外延片还能实现高效率的电力转换（E模式），并且外延厚度和均匀度达到了99%，质量也得以提升。

Apro semi计划基于该外延片开发GaN器件，并优先供应给母公司Apro的二次电池激活设备；他们还决定扩大目标应用市场，包括快速充电器、电源模块和汽车零部件等，目前已开始与各种系统制造商正式合作。

此外，Apro semi还在推进用于无线射频（RF）半导体的外延片的开发，该公司正在与韩国RF半导体企业进行“GaN on SiC”外延片的样品测试。

在投资与量产计划方面，继去年完成了50亿韩元的A轮融资后，Apro semi今年正在进行500亿韩元（约2.6亿人民币）的B轮融资。

最近，他们已经提前确保了约100亿韩元资金到位，计划加大正在建设中的龟尾GaN外延片工厂的投资，主要是引进新的MOCVD设备。龟尾工厂预计将于今年10月完工，并在年底投入运营。这里生产的外延片将与DB HiTek等代工厂合作，制造GaN芯片。

Apro Semicon GaN外延片量产工厂建设现场

实际上，据行家说《2024氮化镓（GaN）产业调研白皮书》阶段性统计，近几年1200V及以上的横向氮化镓研发进展在不断加快，特别是2024年以来，也有多家国产企业/机构取得了突破：

目前，《白皮书》已进入调研、编撰阶段，能华半导体等也已正式参编《白皮书》，并将在报告中分享其GaN最新进展和布局，我们也期待更多GaN领域的行家企业加入，了解更多详情请扫描海报二维码。

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