半导体产业网获悉:近日,新洁能第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目、湖北先导电子信息产业园一期项目、天津至汇光电光电子材料及器件制造基地项目、清溢光电高精度高端半导体掩膜版基地项目、博立德光伏半导体高纯新材料研发生产基地项目、芯成汉奇圆级封测项目、瑞福芯科技车规级SiC半导体功率模块产业化项目迎来新进展。详情如下:

1、新洁能第三代导体募资项目延期

8月12日,新洁能发布公告称,公司当日审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》,在募投项目实施主体、实施方式、募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下,拟对《第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化》募投项目达到预定可使用状态的时间延期至2025年8月。

《第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化》项目的拟投入募集资为20,000万元,截至6月30日已使用募集资金391.43万元。

关于项目延期的原因,新洁能说明称,受宏观环境等不可控因素的影响,项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响,无法在计划时间内完成。经审慎评估后,新洁能决定对《第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化》的建设时间进行调整。尽管该项目在募投方面进行延期,但仅涉及项目进度的变化,不会对募投项目实施造成实时性影响,对公司正常经营并无重大影响产生。

2、总投资200亿元,湖北先导电子信息产业园一期项目部分厂房设备陆续进场

近日,湖北先导电子信息产业园一期项目部分厂房设备已经陆续进场,预计10月份开始试生产,二期项目也正压茬推进。

据悉,湖北先导电子信息产业园总投资200亿元,是荆州市招商引资规模最大的半导体材料项目,计划建设集成电路关键材料、稀散金属回收加工、新一代半导体材料、太阳能电池及创新研究院等子项目。湖北先导电子信息产业园建成后,将加大稀散金属领域的研发和市场开拓力度,进军航空航天、半导体、高端显示、精密光学、新能源等高端领域,助推荆州电子信息和半导体新材料产业提档升级。

据了解,先导科技集团与荆州经开区结缘始于2022年。先导科技集团是全球最大且唯一拥有稀散金属全产业链的高科技企业,其产品广泛运用于半导体、微电子、5G、光伏、红外光学等领域。

3、总投资6亿元,天津至汇光电光电子材料及器件制造基地项目公示!

近日,天津滨海高新区官网发布关于《天津至汇光电技术有限公司光电子材料及器件制造基地建设项目建筑设计方案总平面图草案公示》。

公示图@天津高新区

项目位于天津滨海高新区华苑科技园海泰创新大街北侧,总用地面积约52011平方米,总建筑面积约54261平方米,主要由测试车间、中试车间、标准厂房和动力站等组成。

目前,该项目正处于建设阶段。据此前消息,上海至纯洁净系统科技股份有限公司成立于2000年,2017年在上交所主板上市。致力于为高端先进制造业企业提供高纯工艺系统的解决方案,目前已为该领域龙头企业。2020年7月至纯科技在高新区签约落地,建设至纯光电子材料和器件产业化基地项目,总投资6亿元人民币,项目选用建设地块为华苑科技园海泰大道中海创项目东侧工业用地地块,面积为78亩。

4、清溢光电拟募资12亿元投建高精度、高端半导体掩膜版基地

日前,清溢光电发布公告称,公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元(含本数),募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。

公告显示,高精度掩膜版生产基地建设项目一期的实施主体为子公司佛山清溢光电,主要产品为平板显示掩膜版,系平板显示产业链上游核心材料之一。本项目计划总投资约8亿元人民币,拟投入募集资金6亿元,主要生产8.6 代及以下高精度掩膜版,应用于 a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等平板显示产品。项目建成投产后,将提高公司平板显示掩膜版产能,提升高精度平板显示掩膜版国产化程度及配套水平,填补国内产业空白。

高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期的实施主体为子公司佛山清溢微,主要产品为覆盖 250nm-65nm 制程的高端半导体掩膜版。本项目计划总投资约6.05亿元人民币,拟投入募集资金6亿元。该项目可提高清溢光电半导体掩膜版产品的技术能力和产能,优化其半导体掩膜版的产品结构,提升技术和工艺水平,提升在半导体掩膜版市场占有率。

清溢光电表示,本次募集资金投资项目围绕公司主营业务进行,并且顺应行业发展趋势及产业发展政策方向。通过实施高精度掩膜版生产基地建设项目一期,公司的高精度掩膜版产能将得到较大提升,有助于公司把握平板显示的国产化发展机遇。通过实施高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期,公司半导体掩膜版业务布局也将加速,产品的精度及产能将获得提升。

5、投资3.8亿元,博立德光伏半导体高纯新材料研发生产基地签约西安

近日,西安博立德材料科技有限责任公司签约入驻西安西咸新区·秦汉自动驾驶产业园起步区(已建成区域)。

由西安博立德材料科技有限责任公司投资建设的光伏半导体高纯新材料研发生产基地,位于西咸新区·秦汉自动驾驶产业园起步区已建成区域。项目分两期建设,其中一期总投资约3.8亿元,厂房总建筑面积约1.2万平方米。

光伏半导体高纯新材料研发生产基地(一期)项目,将引进国际先进波导级高精密生产工艺,主要建设高纯新材料研发中心及高纯石英制品生产线。项目建成投用后,预计每年可生产7200支石英加料筒、2.4万只石英舟托和7200支石英炉管,将与西咸新区光伏半导体行业形成产业联动,推动新区光伏半导体产业协同发展。

西安博立德材料科技有限责任公司主要从事高纯石英管(棒、板、锭、筒)、石英坩埚、石英舟托及其他石英材料的研发、生产与销售。“高纯石英制品是生产半导体、光伏、光纤、光源和光学用石英制品的主要原材料,其质量优劣对下游产品品质至关重要。我们公司技术团队长期致力于高纯石英制品的技术研发和创新,产品品质稳定,工艺技术完善,目前已掌握规模化量产高纯石英制品技术。”西安博立德材料科技有限责任公司项目负责人表示。

6、芯成汉奇圆级封测项目正式动工开建

据“东莞发布”公众号,作为2024年“投资年”现场推进会暨重大项目动工仪式举办所在地,松山湖佰维存储晶圆级封测项目正式动工开建,预计将于2025年全面投产。

松山湖佰维存储晶圆级封测项目效果图

据了解,松山湖佰维存储晶圆级封测项目主体为广东芯成汉奇半导体技术有限公司,于2023年9月成立,系深圳佰维存储科技股份公司子公司,项目用地面积约102亩,总投资额约为30.9亿元,一期投资额约为12.9亿元,规划先进晶圆级封装8万片/年,二期投资额为18亿元,将于2025年全面投产。芯成汉奇半导体技术有限公司具备晶圆级先进封装及2.5D技术能力,专注于晶圆中段制造和测试,高带宽存储内存封测技术研发,提供12英寸晶圆凸块(bumping)、再布线加工(RDL)和2.5D/3D等封测服务。该项目主要打造晶圆级先进封测基地,提供全方位的先进封装测试服务,助力东莞集成电路产业规模扩张与技术水平跃升。公司致力于将项目打造为全球一流的先进封测企业。

7、瑞福芯科技车规级SiC半导体功率模块产业化项目签约

8月13日,瑞福芯科技官微宣布,公司与东台高新区签定了《车规级SiC半导体功率模块产业化项目战略合作框架协议》。

据了解,瑞福芯科技、协同创新基金管理有限公司、中科院先进研究院、桉森芯(上海)微电子有限公司组成项目调研团,就“车规级SiC半导体功率模块产业化项目”落地江苏东台高新区进行投资实地考察,并达成了一致战略意见。

瑞福芯科技拟落地江苏东台高新区,投资10~15亿元建设第二研发中心和产业化生产基地,首期启动资金投入1亿元。本轮ProA轮融资,投资领投方为协同创新基金管理有限公司,并有业内其它投资机构配合跟投。

备注:上述信息由半导体产业网 据公开信息整理,仅供参考!

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今年,国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛11月18-21日苏州国际博览中心举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作,投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月,IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注:IEEE是EI检索系统的合作数据库。


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