投资要点
DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期，3D DRAM应运而生随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前DRAM芯片工艺已到10nm级别，尽管10nm还不是DRAM的最后极限，但多年来随着DRAM制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3D NAND Flash早已实现商业化应用，3D DRAM技术尚在研发中，但随着AI浪潮，大容量、高性能存储器需求将大幅增加，3D DRAM有望成为存储器市场的主流产品。
存储巨头纷纷布局3D DRAM技术，产业生态或迎变局2024年3月，三星在加州举行的Memcon 2024会议上公布了其3D DRAM开发路线图，并计划在2025年推出基于其垂直通道晶体管技术的早期版本的3D DRAM。海力士在VLSI 2024会议上公布了其五层堆叠的3D DRAM产品，生产良率已达56.1%。美光则在2019年就开始了3D DRAM的研究工作。存储巨头纷纷布局3D DRAM技术，产业生态或迎变局。
3D DRAM正处产业化前期，成长空间极大，给予3D DRAM行业投资评级：推荐3D DRAM完美契合AI应用对高性能和大容量存储器的需求增长，行业主要厂商正在逐渐加大对3D DRAM技术的开发投入，并且通过专利保护的方式为未来的市场竞争和技术主导权做准备。3D DRAM正处产业化前期，成长空间极大，给予行业“推荐”评级，建议关注产业链相关标的：中微公司、拓荆科技、中科飞测、精智达、华海清科等。
风险提示
宏观经济增长不及预期的风险；
海外科技管制进一步加强的风险；
本土科技创新突破不及预期的风险；
下游需求恢复不及预期的风险；
行业景气度复苏不及预期的风险；
推荐标的业绩不及预期的风险。
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