英伟达在芯片制造领域取得了重要进展，首次在量产中使用了钌（Ru），这一创新使得铜

英伟达在芯片制造领域取得了重要进展，首次在量产中使用了钌（Ru），这一创新使得铜芯片布线能够扩展到2nm节点及以下。通过使用新型增强型低k介电材料，不仅可以降低芯片电容，增强逻辑和DRAM芯片的3D堆叠能力，而且据证券之星报道，新材料的应用将使布线电阻降低多达25%，同时使芯片电容降低多达3% 。
这项技术突破对于芯片行业来说具有重要意义，因为它不仅推动了芯片制造工艺向更小节点的发展，还有助于提高芯片的性能和降低功耗。在芯片布线中，钌的使用是一个关键的创新点，它与钴(Co)的二元金属组合，可以减少衬里厚度，提供更好的表面特性，从而降低电阻并提高芯片的整体性能 。
此外，东方财富网的报道中提到，钌是地壳中含量最少的铂族金属元素之一，我国产量较为稀少 。在资本市场上，这一技术进展可能会对相关的钌金属概念股产生影响，如浩通科技、南矿集团、贵研铂业等公司，它们在钌金属领域有着不同程度的研究和开发应用 。
值得注意的是，这些进展和应用材料公司的技术创新紧密相关，该公司在芯片布线工艺技术上处于行业领先地位，并在Semicon West活动上公布了这些进展 。通过这些创新，芯片制造商能够更好地应对节能计算的挑战，推动AI时代对更节能计算的需求。