波长光电在在冲刺duv光源系统！

$波长光电(SZ301421)$  

目前波长光电平行光源系统产品实现波长365nm的紫外光（i线为主）这还是较为低端点的普遍

熟悉光刻胶的人应该知道

半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。

经过仔细研究波长光电的今年专利和研发情况

市场上和公开资料能解读：

公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力。公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套，并已交付多套系统用于接近式掩膜芯片光刻工序。在激光检测和测量方向，公司产品目前已进入半导体光刻领域配套检测产业。

这是公开资料显示.也不清楚是duv还是具体什么.国产光刻机研发还是属于机密.公开资料能找到不多.现在看时间节点公开也快了.因为华为海思

今天无意钻牛角找了下波长光电的专利

发现一个隐秘

一种石英大孔径日盲紫外广角光学系统的工作波段为240nm~365nm，视场角为112，光学孔径为F#1.4。

说明一个问题.波长光电深紫外euv.波段光源系统技术已经实质性有结果.可以断定.i线波长光电已经很成熟。K线技术也突破.

还有一点波长光电提供光刻机配套的大孔径光学镜头制造.这点对于广大投资门外汉根本看不懂啥意思...

给大家简单靠科普下。

摩尔定律的维系有赖于光刻技术分辨率的提高，这样一来，芯片制造商就可以制造越来越精细的电路。在过去的35年里，通过研究光的波长、封装过程相关因素的系数k1以及衡量系统发光的角度范围的数值孔径（NA）这3个因素的组合，工程师们已经将分辨率提高了两个数量级。

临界尺寸是使用某种光刻曝光工具可以打印的最小产品尺寸，它与光的波长除以光学元件的数值孔径所得的值成正比。因此，我们可以通过使用更短的光波长或更大的数值孔径，或者两者的结合来实现更小的临界尺寸。例如，通过改进制造过程控制，k1值可以尽可能地接近其物理下限0.25。

一般来说，提高分辨率最经济的方法是提高数值孔径，以及改进工具和过程控制以实现更小的k1。芯片制造商只有在无法进一步提高数值孔径和k1时，才会想办法缩短光源波长。

简单来说.

NA数值孔径越大  分辨率越高.越先进光刻机分辨率越高.理论上可以在duv光刻机上来提高数值孔径达到更高分辨率.例如达到5nm 这样.

最后插一句。

ASML和英特尔新型高数值孔径EUV光刻机实现技术突破

高数值孔径EUV光刻系统被认为是下一代芯片制造的关键技术之一。它能够在更小的芯片上蚀刻更精细的电路，从而使芯片能够变得更加强大和节能。其中，“初次曝光”即是指光刻系统首次成功将光线图案投射到晶圆上。

ASML的High-NA Twinscan EXE光刻机代表了该公司技术的巅峰，每台设备重达150吨，相当于两架空客A320客机，需要250个集装箱运输，运到客户手里后还要再由250名工程师花费六个月的时间组装。

这是未来下一代光刻机雏形.当我们还在追赶duv，euv时候人家已经又突破新一代。

关键词：未来最强最先进光刻机-高数值孔径

波长光电-为光刻机配套的大孔径光学镜头

这块大家自己可以学习找资料是不是有联系.

投资有风险.投资任何一家公司我都要把他研究透彻才敢放心持有。