300亿！又一8英寸碳化硅项目投产！

据媒体消息，总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段，衬底厂8月投产，比原计划提前2个月。

据了解，该项目总投资约300亿元，将建设一个技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

项目达产后，将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。

作为配套，三安光电在重庆同步建设一座8英寸衬底厂，并为此设立了重庆三安半导体有限责任公司（湖南三安的全资子公司），注册资本为18亿元。该工厂预计总投资额为70亿人民币，占地276亩，达产后预计8英寸SiC衬底48万片/年。据半年报披露，该衬底厂预计8月底将实现点亮通线。

值得一提的是，意法半导体正在推进旗下晶圆厂从6英寸向8英寸过渡，而湖南三安项目的加快建设将一定程度上助推意法半导体加速向8英寸转型。

据了解，意法半导体是全球半导体龙头企业，三安光电拥有强大的化合物半导体代工能力，项目预计投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元），预计营收将达139亿元人民币，将于2028年全面达产。

值得关注的是，英飞凌和博世正在深化在中国的供应链联系，与当地衬底供应商达成长期合同。天岳先进正在扩大其产能，积极从6英寸产品转向8英寸产品。该公司的上海临港工厂正在加紧二期扩建，目标是年产96万片8英寸晶圆。

全球领先的半导体公司正在迅速进入8英寸SiC生产领域。自2023年以来，包括英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆和博世在内的公司都已启动大规模生产认证。8英寸SiC产能的激增预计将满足日益增长的需求，预计到2025年市场将大幅增长。

中国供应商有望在未来几年主导8英寸SiC市场，并有可能超越其目前在6英寸领域的领先地位。

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