半导体产业网获悉:近日,天科合达半导体设备产业化基地项目、通潮精密半导体核心零部件项目、Resonac功率半导体用碳化硅(SiC)衬底及外延项目、天创总部暨光电显示研发制造基地成都项目、立洋光电智能照明系统研发与制造基地项目、辰显光电首条TFT基Micro-LED量产线(VSM)、天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目、晶引电子超薄精密柔性薄膜封装基板(COF)生产线项目迎来新进展。详情如下:

1、投资5.2亿元,天科合达建设半导体设备产业化基地项目

近日,国内第三代半导体领军企业——天科合达摘得北方芯谷新建区第一块工业用地,将投资5.2亿元建设半导体设备产业化基地项目,标志着北方芯谷新建区建设全面启动。

天科合达是国内最早从事第三代半导体碳化硅晶片研制的国家级高新技术企业之一。这次摘牌的地块位于北方芯谷新建区,计划建设第三代半导体碳化硅单晶生长炉、高温CVD真空炉等装备研发制造生产基地和半导体设备高温零部件碳化物涂层等终端产品生产基地。项目预计明年初开工建设,年底前投入使用。


2、通潮精密半导体核心零部件项目签约

9月11日下午,通潮精密控股子公司晶海热瓷投资的半导体设备核心零部件项目正式落地合肥经开区。

通潮精密机械股份有限公司成立于2016年,致力于泛半导体产业关键设备部件的研发及生产,产品主要应用于泛半导体薄膜工艺、刻蚀工艺等关键工艺环节,也是国内首家将面板领域CVD设备、干法刻蚀设备电极部件国产化的企业。晶海热瓷项目规划总投资数亿元人民币,主要研发、生产及销售半导体设备用陶瓷加热器及结构件、各类金属加热器等产品。

3、Resonac功率半导体用碳化硅(SiC)衬底及外延项目开工

9月13日,Resonac(原昭和电工)宣布,在日本山形县东根市,公司用来生产功率半导体用碳化硅(SiC)衬底及外延的新大楼,已开工建设。奠基仪式于9月12日举行。

据了解,该SiC晶圆厂建筑面积约为5832平方米,预计竣工时间为2025年第三季度。此前有报道称,Resonac将投资约300亿日元(折合人民币约15亿元)扩产碳化硅产能,并在山形县工厂增设SiC衬底产线,预计在2027年开始量产,日本经济产业省最高将补助103亿日元(折合人民币约5亿元)。

另据日媒报道,Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸产品的同等水平。目前,公司正在通过提高生产效率来降低成本,样品评估已经进入商业化的最后阶段。预计一旦成本优势超过6英寸产品,Resonac就会开始转型生产8英寸产品。source:ResonacResonac凭借在SiC单晶衬底上形成SiC外延层的技术优势,拥有非常可观的SiC外延片市场份额,并向高端市场供应SiC外延片。

Resonac开发的8英寸产品与其供应给高端市场的6英寸SiC外延片拥有相同品质。Resonac目前面临的挑战仅有成本问题,公司正通过设置最佳参数和用料,来缩短生产时间并提高产量。除了量产8英寸SiC外延片外,Resonac还将在2025年开始量产8英寸碳化硅衬底。


4、总投资30亿元,天创总部暨光电显示研发制造基地成都项目启动

9月10日,和天创总部暨光电显示研发制造基地开工仪式在成都金牛高新技术产业园区人工智能产业园举行。

此次开工的和天创总部暨光电显示研发制造基地项目总投资30亿元,占地面积55.381亩,将开展数字光学电子智能显示产品(包括但不限于激光电视、智能投影、光固化3D打印、新能源汽车数字大灯、AR-HUD、仪表、中控),新一代国产自主知识产权集成电路等产品的研产销服;全球跨境电商平台、产品中试基地及光学电子实验室建设。聚合产业链上下游企业,构建新型智慧大屏互联网智能生态链。

据悉,项目建成并全部投入使用后将引入高端人才500人,达产年产智能投影及周边设备300万台,达产年产值5亿元,税收3000万元。研发基地的落成,也将助推和天创加速推动全新产业线布局,未来将形成以自主品牌拓展LCD智能显示终端消费市场,以软硬件一体化解决方案为基础的衍生业务覆盖光显电子行业市场,以新能源汽车ADS车载光学电子产品布局智慧出行消费场景,打造覆盖人智慧家庭和出行场景的终端、用户、内容、运营多维一体化的新一代智慧显示互联生态。

5、总投5亿!立洋光电智能照明系统研发与制造基地项目即将封顶

9月1日,随着最后一块混凝土顶板浇筑完成,动工仅9个月的黄江立洋光电子智能照明系统研发与制造基地项目主楼迎来封顶。

深圳市立洋光电子股份有限公司,成立于2008年,专注为全球用户提供高品质的大功率LED封装器件,以及一体化LED照明应用解决方案,是业界领先的集研发、生产、销售于一体的国家级高新技术企业。

黄江立洋光电子智能照明系统研发与制造基地项目位于黄江镇刁朗社区,总投资5亿元,项目总面积将近9万平方米,其中3栋厂房、1栋研发办公楼、1栋员工宿舍楼,于2023年11月开工。项目主要从事研发、生产和销售LED光源器件、LED照明灯具以及LED智能控制系统。达产后,预计年产值为5亿元。

6、辰显光电首条TFT基Micro-LED量产线(VSM)设备搬入

9月10日,辰显光电隆重举行了首条TFT基Micro-LED量产线(VSM)设备搬入仪式。

据介绍,此次设备搬入预计耗时11天,涉及设备两百余台,总重量达近千吨。在此前的9月8日下午,在成都高新西区光显柔谷产业园,辰显光电全球首条TFT基Micro-LED生产线奠基仪式顺利举行。辰显光电总经理黄秀颀指出,设备搬入是辰显光电Micro-LED量产之路中的一个重要环节,也是VSM量产线顺利运行的关键一步。接下来,辰显光电将正式进入量产倒计时。

据了解,辰显光电是中国大陆第一家专业从事Micro-LED自主研发、规模生产和市场销售的高科技企业,致力于成为全球Micro-LED显示领域领导者。此次奠基的生产线位于光谷柔显产业园内,占地面积约53亩,生产线全部采用自主设计,并采用多台“首台套”Micro-LED量产设备。产线建成后将有效推动我国Micro-LED显示技术商业化进程,也将成为中国新型显示产业高质量发展的重要里程碑。

此次搬入的设备中,有多台是由辰显光电与设备厂商联合研发的首台套,涵盖了多个关键工艺,确保自主可控的技术路线,同时也助力国内Micro-LED产业链的协同发展。黄秀颀介绍,公司始终专注Micro-LED显示技术研发和产业化建设,公司成立至今, 已将自身研发、中试技术发展到可量产水平,并完成了多项业内公认的Micro-LED领域卡点、难点问题的攻关,辰显光电已将巨量转移良率提升至99.995%,开发出国内首款TFT基混合驱动IC和大尺寸TFT基混合驱动量产方案。

去年6月27日,辰显光电与成都高新技术产业开发区管理委员会正式签署了Micro LED显示屏生产基地项目投资合作协议,这标志着全球首条TFT基Micro LED显示屏生产线在四川成都正式落地启动。该项目投资总额为30亿元,将率先布局大尺寸商显领域,预计2024年底实现产品出货。

7、近12亿,中电四公司成功中标北京半导体大项目

近日,中电四公司成功中标北京天科合达半导体股份有限公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(1#生产厂房等12项)”,中标金额:1159022898.60元。

该项目建设地点位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块,建设规模超10万平方米,中标范围为施工图纸范围内的地基与基础、主体结构、建筑装饰装修、屋面、建筑给水排水及供暖、通风与空调、建筑电气、智能建筑、建筑节能、电梯及室外工程等全部工作内容。下一步,公司将继续秉持“以客为尊,服务领先”的经营理念,做好客户服务,不断提升我们的综合工程服务能力,为我国半导体产业的繁荣发展做出更大贡献。

8、晶引电子超薄精密柔性薄膜封装基板(COF)生产线项目点亮倒计时

近日,位于丽水经开区的浙江晶引电子科技有限公司超薄精密柔性薄膜封装基板(COF)生产线项目迎来新进展,据悉,晶引工厂建设已进入冲刺阶段,工地实施三班倒作业,各区域内外装修同步进行中,数百余名技术员和工人正日夜奋战,全力冲刺年底点亮投产目标。专业电子厂房外立面作业即将完工无尘车间整体施工正在有序开展配套用房装修同步进行中玻璃幕墙正在安装员工宿舍吊顶施工中据悉,晶引电子COF生产线项目总投资55亿元,总用地面积约250亩,分两期建设。

项目一期主要建设年产18亿片超薄精密柔性薄膜封装基板生产线(首个批量产品为运用业内先进成熟制程工艺生产的8微米等级显示屏用单面COF产品),预计可实现年产值34亿元,上缴税收3亿元。建成投产后,预计专家团队达120人以上,产线人员达750人以上,将弥补国内外高端COF 基板产能缺口,实现新型显示产业关键零组件的国产化升级,促进全省芯屏产业链上下游生态发展。公开资料显示,浙江晶引电子科技有限公司成立于 2022 年 10月,注册资本11,000万元,专注于柔性半导体、新型显示及新材料研发及生产,是一家国际国内领先的新型显示及柔性半导体关键器件、生产及研发的高科技企业。晶引电子继获得丽水绿色产业基金天使轮5000万元增资后,今年4月份,再获得日晟半导体科技的3000万元PreA轮融资。

备注:上述信息由半导体产业网 据公开信息整理,仅供参考!

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今年,国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛11月18-21日苏州国际博览中心举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作,投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月,IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注:IEEE是EI检索系统的合作数据库。特别提醒:应广大专家、学者的建议,组委会慎重决定将论文摘要截止日期延至:2024年9月18日,论文摘要录用通知延至:2024年9月30日。欢迎业界从业者,学界专家、青年学者、博士硕士研究生积极投稿。


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