9月17日消息，Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了创纪录的新进展。
据悉，相较于AlInGaP材料，采用InGaN材料的红光LED，能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LED在制造过程中相互协调。InGaN的大规模工业产能带来了规模经济优势，并且更适合与硅半导体制造集成。此外，InGaN红光在Micro LED的应用前景较佳，其在微米级尺寸和低电流密度下仍能保持高效率。
InGaN红光LED的光谱示例（图片来源：Lumileds）
Lumileds的科学家首次展示了利用InGaN LED所产生鲜艳的深红光LED（主波长为615nm，对应峰值为635nm），在 10A/cm? 的电流密度下实现了7.5%的光电转换效率（wall-PLUG efficiency）。Lumileds的新研究成果解决了高浓度铟带来的相关挑战，包括电流密度增加所导致的光谱峰值漂移和增宽问题。
615nm主波长红光InGaN LED 的光电转换效率与电流密度（图片来源：Lumileds）
Lumileds氮化物外延开发总监 Rob Armitage表示，目前，10m以下红光Micro LED的效率问题，是实现成本效益和高效Micro LED显示器的障碍之一。本次Lumileds在红光InGaN上的研究工作，验证了团队正在解决红光InGaN成本和效率的道路上，使其能够达到应用门槛。
除了展示高效红光InGaN之外，Lumileds还成功地在单一的InGaN外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射。随后，Lumileds将这一成果转化为具有出色颜色质量和电气特性的Micro LED，将三种原色整合到单个Micro LED中，这将为实现低成本、高产量的Micro LED 显示器组装带来积极影响，并最终将实现AR眼镜应用的紧凑型全彩显示器。
据悉，Rob Armitage受邀在即将举行的 IWN 2024会议上发表演讲，届时他将讨论 InGaN LED在彩色显示应用中的开发。
今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月，IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注：IEEE是EI检索系统的合作数据库。
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