这项研究，将改变红光MicroLED？

9月17日消息，Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了突破性新进展，解决了高浓度铟带来的相关挑战。有产业人士表示，这将会是做将会是最合适做红光 Micro LED的技术。

据悉，相较于AlInGaP材料，采用InGaN材料的红光LED，能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LED在制造过程中相互协调。InGaN的大规模工业产能带来了规模经济优势，并且更适合与硅半导体制造集成。此外，InGaN红光在Micro LED的应用前景较佳，其在微米级尺寸和低电流密度下仍能保持高效率。

InGaN红光LED的光谱示例，来源：Lumileds 同时，Lumileds的科学家首次展示了利用InGaN LED所产生鲜艳的深红光LED（主波长为615nm，对应峰值为635nm），在10A/cm的电流密度下实现了7.5%的光电转换效率（wall-PLUG efficiency）。Lumileds的新研究成果解决了高浓度铟带来的相关挑战，包括电流密度增加所导致的光谱峰值漂移和增宽问题。 Lumileds氮化物外延开发总监Rob Armitage表示，目前，10m以下红光Micro LED的效率问题，是实现成本效益和高效Micro LED显示器的障碍之一。本次Lumileds在红光InGaN上的研究工作，验证了团队正在解决红光InGaN成本和效率的道路上，使其能够达到应用门槛。

基于此，有产业人士表示，高浓度铟掺杂的氮化镓如果能解决峰值漂移和半波宽度问题，将会是最合适做红光 Micro LED的技术。 另外，Lumileds成功地在单一的InGaN外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射。随后，Lumileds将这一成果转化为具有出色颜色质量和电气特性的Micro LED，将三种原色整合到单个Micro LED中，这将为实现低成本、高产量的Micro LED显示器组装带来积极影响，并最终将实现AR眼镜应用的紧凑型全彩显示器。

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