新增一8吋SiC工厂！2026年投产

“行家说三代半”近日发现，奥地利一家SiC厂商正在建设6吋/8吋SiC项目，其中8吋衬底已经成功研发，预计在2026年实现投产。

值得一提的是，该公司还拥有自主的SiC粉料工艺及人工智能晶圆检测技术，致力于打造欧洲自主的SiC供应链，更多详细内容请往下看：

奥地利EEMCO：

8吋SiC工厂2026年投产

据“EEMCO”官网消息，目前他们正在使用专有的PVT工艺在专用炉中生产高质量的6/8吋SiC晶体，并将8吋SiC技术引入了位于挪威的ARCTIC SiC衬底厂，该工厂将于2026年开始运营。

EEMCO表示，ARCTIC SiC衬底厂100%使用水力发电，标志着欧洲将落成首个零排放SiC生产设施。未来，公司将充分利用EBNER在长晶炉设计和晶体生长方法方面的丰富经验，不断改进和完善其制造工艺，打造欧洲自主的SiC衬底供应体系。

“行家说三代半”了解到，EEMCO隶属于EBNER集团，EBNER集团原专注于工业炉制造，但该集团团队于2018年开始了对SiC生长技术的深入研究和开发，并于2020年成立了EEMCO。

2023年3月，EEMCO还联合奥地利的莱奥本矿业大学共同开发新的建模方法，目标是帮助碳化硅企业提高单晶生长质量——他们认为，虽然传统物理建模已经很先进了，然而这需要大量的数据和相应数量的实验，需要耗费大量的时间和财力；他们希望结合基于物理和数据驱动的模型，以获得尽可能高效和可预测的碳化硅晶体生长方法；合作期间，EEMCO共运营着15个研究炉。

此外，EBNER集团还于2021年成立了专门研究碳化物粉料的公司——SICREATE，SICREATE专为EEMCO提供高纯度SiC粉末，其产品线包括两种类型的SiC粉末（导电型与半绝缘型），均达到6N的高纯度级别，粒径范围从0.1毫米至2毫米。

据介绍，SICREATE采用了一种超高真空硅碳化物烧结工艺，所生产的SiC粉末在单次生产周期内就能达到高标准的纯度和粒度，无需额外的机械或化学后处理。与市场上其他同类产品相比，SICREATE的粉末以其多样化的粒度、低氮含量、极少的金属和化学杂质，以及低CO₂排放而脱颖而出。

EEMCO通过其“姊妹公司”实现了内部供应SiC粉末，确保了原材料的高质量和供应稳定性；不仅如此，针对SiC晶圆的质量把关，EEMCO还与Evident进行合作（后者是一家提供工业成像解决方案的公司），利用定制软件和人工智能技术，提高了晶圆上缺陷检测和表征的准确性和效率。

EEMCO介绍到，基于Evident的PRECiV™软件平台，能够对大尺寸SiC晶圆进行光学分析；双方合作设计了一个包括图像获取和分析的定制工作流程，这个工作流程涉及高分辨率图像的获取、图像分割以及使用神经网络进行缺陷检测，以便EEMCO能够更有效地控制和监测其生产过程以及最终产品的晶圆质量。

盘点近期8吋SiC项目进展

《季报Q3》即将推送

进入第三季度以来，8吋SiC项目的建设更加火热，如汉磊&世界先进、天岳先进等企业宣布了建线新动作；合盛新材、三安、英飞凌等企业的8吋项目也都按下了“加速键”。

行家说产研中心日前在编制《季度内参——第三代半导体与新能源汽车（2024Q3）》，其中对相关动态进行了详细汇总。这份《季报Q3》即将发布，前2季度报告可扫描下方二维码回顾↓↓↓。

《季度内参——第三代半导体与新能源汽车（2024Q3）》（节选）

 三安：9月19日，据财联社报道，三安光电证券部人士透露，主要生产8英寸碳化硅衬底的重庆三安项目已实现衬底厂的点亮通线。

 汉磊&世界先进：9月10日，汉磊科技发布公告，宣布与世界先进集成电路股份有限公司签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物半导体8英寸SiC晶圆的技术研发与生产制造。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。

 合盛新材料：9月10日，合盛硅业官微消息，旗下子公司合盛新材料于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。

 天科合达：8月13日，据“北京市生态环境局”披露，北京天科合达半导体股份有限公司的SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批，该项目投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

 英飞凌：2024年8月8日，英飞凌正式启用马来西亚居林新SiC晶圆厂的一期工程，并为该晶圆厂举行了落成典礼。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck、马来西亚首相拿督斯里安瓦尔等出席了揭牌仪式。

 天岳先进：7月9日，天岳先进发布公告称，将募资3亿元资金用于“8 英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目”。该项目投资总额预计约3.86亿元，建设周期为24个月，将在上海天岳现有厂区建设，目前已完成项目备案，环评手续正在准备过程中。