半导体产业网获悉：近日，芯动半导体年产120万套第三代半导体功率模块封测项目、冠鼎半导体第三代氮化镓功率半导体生产新建项目、依思普林半导体封装与模组生产基地、瑞华科技金刚石材料项目迎来新进展。详情如下：
1、长城汽车“第三代半导体模组封测项目”完工
9月14日，水土保持网披露了长城无锡芯动半导体科技有限公司（下文简称“芯动半导体”）水土保持设施验收鉴定书。文件显示，芯动半导体年产120万套第三代半导体功率模块封测项目已于2024年5月完成建设，并在同月完成水土保持设施验收工作。
资料显示，芯动半导体无锡“第三代半导体模组封测项目”制造基地，总投资 8 亿元，建筑面积约 30000㎡，规划车规级模组年产能 120 万套。项目于2023年2月开工，2024年2月完工。
据悉，2022年10月，长城汽车公告称，公司拟使用自有资金与魏建军、稳晟科技共同出资设立芯动半导体，注册资本5000万元，其中公司认缴出资额1000万元，占比20%；稳晟科技认缴出资3500万元，占比70%。魏建军是长城汽车公司的董事长、实控人，也是稳晟科技的直接控制人。芯动半导体是长城汽车进入功率半导体赛道的重要一环，承载着长城汽车自主造芯的远大目标。除了建设第三代半导体功率模块封测项目外，芯动半导体还与业内碳化硅大厂开展了相关业务合作。
2、冠鼎半导体1.055亿元新建氮化镓项目
9月9日，江门市生态环境局发布了“冠鼎半导体第三代氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。
公告披露，冠鼎半导体正在推进第三代氮化镓（GaN）功率半导体生产新建项目，该项目位于广东省江门市新会区崖门镇，项目总投资额为1.055亿元，其中环保投资占50万元，施工工期预计为2个月，目前尚未开始建设。项目计划年加工第三代氮化镓功率半导体1500万件，主要生产设施包括万级洁净室和十万级洁净室，将配备固晶机、焊线机、离子清洗机等关键设备。
资料显示，冠鼎半导体成立于2023年8月，为江门市鼎翔电子科技有限公司全资子公司。鼎翔电子成立于2012年6月，是一家集半导体封装材料开发设计制造及方案解决为一体的，专业从事发光二极管(LED)引线框架、塑封三极管引线框架和精密电子元器件生产的工厂。
3、一期投资1.2亿元，依思普林半导体封装与模组生产基地
依思普林半导体封装与模组生产基地项目由深圳依思普林科技有限公司投资建设。该公司成立于2011年，是国内唯一碳化硅模组产品在商用车上批量化生产的企业，为国家电投和深圳国资委产业资本赋能企业，专业从事车规级功率半导体器件、新能源汽车电机控制器、动力总成及其核心关键零部件IGBT模组和MOSFET模组订制开发，以及工业级电力电子产品研发和生产的国家高新技术企业。
公司面向商用车、工程机械、农业机械等专用车领域，重点开发高压碳化硅模组应用市场，与中国重汽、三一重卡、中联重科、潍柴动力、徐工集团、金龙、长安等国内外龙头企业建立战略合作关系，所生产的1600V/600～800A高压碳化硅模组成功应用于重卡、轻卡、皮卡对应的电机控制器。先后获得“世界一流产品奖”“电动汽车核心零部件100强企业”“国家优秀产品奖”“新能源联盟理事单位”等荣誉。
项目一期总投资1.2亿元，入驻信息技术产业园5000平方米标房，建设年产30万套IGBT与SIC MOS封装及模组生产基地，并与北京理工大学建立联合实验室，共同打造高压电控及混动系统标杆。预计年产值1.2亿元、税收1000万元。
4、瑞华科技金刚石材料项目正进行试生产任务
近日，位于荆州经开区的湖北瑞华科技有限公司（以下简称“瑞华科技”）金刚石材料项目主体厂房建设、净化工程、特气系统已完工，一期项目的主体设备已安装调试完毕，施工人员正在进行试生产任务，为全面投产奠定坚实基础。
“这是我们的MPCVD工艺生长车间，公司通过自主创新，研制出10kW微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装备。”车间主任甘俊伟介绍，金刚石晶种在微波等离子体的作用下逐渐生长，生长后的金刚石经过切割和打磨，可制成璀璨的钻石，也可被加工成薄片，用作高性能电子器件散热片，分离出来的晶种可以重新用于下一次生长，这不仅降低了生产成本，还减少了资源消耗和废弃物产生。
瑞华科技是一家聚焦高端功能金刚石材料生产的高科技企业。数年前，该公司率先在国内布局第四代半导体材料装备和生长工艺研发，主要开展MPCVD装备迭代更新以及金刚石晶圆片关键技术研究，助力推进我国高端金刚石的产业化应用。
“我们的产品主要面向工业领域应用，包括定制金刚石热沉片、金刚石晶圆片、金刚石光学窗口、金刚石刀具等。”办公室主任毛莉介绍，公司产品主要应用于国防雷达、电动汽车、光学窗口、大功率激光器等方面。目前，瑞华科技正致力于加大研发力度、优化生产工艺，力求在大尺寸、高质量金刚石生长装备及生长技术上取得重大突破，破解我国在该领域的技术难题，用“荆州造”金刚石引领半导体“芯”赛道。
备注：上述信息由半导体产业网 据公开信息整理，仅供参考！
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今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月，IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注：IEEE是EI检索系统的合作数据库。特别提醒：应广大专家、学者的建议，组委会慎重决定将论文摘要截止日期延至：2024年9月18日，论文摘要录用通知延至：2024年9月30日。欢迎业界从业者，学界专家、青年学者、博士硕士研究生积极投稿。
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