盖世汽车讯 9月19日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布推出N沟道MOSFET - RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB - 具有低导通电阻，非常适合各种汽车应用，包括车门和座椅定位电机以及LED大灯。
图片来源：罗姆
在汽车领域，随着人们对安全性和便利性要求的提高，电子元件的数量正在激增。同时，为了优化燃料和电力消耗，迫切需要提高电源效率。特别是对于汽车系统中开关应用必不可少的MOSFET，越来越需要降低导通电阻以最大限度地减少损耗和发热。
罗姆一直为消费电子和工业设备提供低导通电阻MOSFET，现将该技术扩展到汽车领域。通过采用最先进的中压工艺来满足汽车产品严格的可靠性要求，罗姆开发出10种具有低导通电阻特征的N沟道MOSFET。
新产品的额定电压为40V、60V和100V，采用分栅结构以实现低导通电阻，有助于提高汽车应用的运行效率。所有型号均符合AEC-Q101汽车可靠性标准，可确保出色的高可靠性。
用户可以根据应用从三种封装类型中进行选择。对于空间受限的设备（如高级驾驶辅助系统（ADAS）），紧凑型DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）封装是理想之选。对于汽车电源应用，罗姆还提供广泛使用的TO-252（DPAK）封装（6.6mm×10.0mm）。此外，罗姆通过在DFN2020Y7LSAA封装中使用可湿性侧翼技术以及在TO-252封装中使用鸥翼引线，进一步提高了安装可靠性。
未来，罗姆计划扩大其中压N沟道MOSFET的产品线，以在汽车应用中实现更大的小型化和更高的效率。DFN3333（3.3mm×3.3mm）和HPLF5060（5.0mm×6.0mm）封装计划于2024年10月量产，随后2025年将推出80V产品。P沟道产品也计划在未来推出。
应用示例
汽车电机（例如车门、座椅定位和电动车窗）
LED大灯
汽车信息娱乐/显示器
高级驾驶辅助系统（ADAS）
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