一、前言
9月，英飞凌科技股份公司宣布已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。
事件点评：GaN功率半导体市场作为当前半导体行业的关键技术赛道，正迎来迅速扩张期。英飞凌科技成功开发出全球首项300mmGaN功率半导体晶圆技术，标志着GaN技术进入大规模生产的新阶段。相较于传统的200mm晶圆，300mm晶圆的生产效率显著提升，芯片产量增加2.3倍，这不仅将推动GaN在工业、汽车、通信等领域的广泛应用，也为终端客户带来更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。随着GaN市场的持续增长，预计到2030年其市场规模将达到数十亿美元。可关注$芯片ETF(SZ159995)$等指数的投资机会。#芯片产业链全面爆发#
二、英飞凌FY24Q3业绩稳健，300 mm氮化镓技术引领半导体行业创新
1、FY24Q3营收环比+2%略低于预期，积压订单价值量环比降至220亿欧元。FY24Q3营收为37.02亿欧元，同比-9.5%/环比+2%，环比增长略低于预期（38亿欧元）主要系部分价值数千万欧元的产品出货时间刚好错过季度截止日期；毛利率40.2%，同比-4.3pcts/环比+1.6pcts；营业利润率为19.8%，略好于预期。公司库存趋于稳定，截至FY24Q3，库存周转天数一直保持在180天的水平，预计在本财政年度结束时，库存将继续减少。截至FY24Q3，公司积压订单价值约为220亿欧元（上季度末为240亿欧元）。
2、英飞凌科技股份公司最近宣布开发出全球首个300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术，成为全球第一家在大规模生产环境中掌握该技术的公司。该技术的引入预示着GaN功率半导体市场的显著扩展。与传统的200 mm晶圆相比，300 mm晶圆的引入不仅技术上更为先进，还因晶圆尺寸增大，每片晶圆上的芯片数量提升了2.3倍，大幅提高了生产效率。GaN功率半导体因其在工业、汽车、消费电子、计算和通信领域的广泛应用而迅速流行。这种基于GaN的设备能显著提高性能，为用户提供包括高效率、小尺寸、轻重量及降低成本在内的多项好处。此外，300 mm工艺的可扩展性极大增强了供应链的稳定性。
三、功率半导体与光刻技术双轮驱动，国产厂商迎接长期发展机遇
全球功率半导体行业在中短期内预计将因供需结构的变化而面临价格压力。虽然技术升级和原材料成本上涨带来了挑战，国内厂商凭借其灵活的本土化服务能力和与客户的紧密合作关系，具备较强的适应性，短期内有望进一步扩大市场份额。与此同时，随着芯片和半导体技术的不断进步，尤其是在光刻机等核心设备领域的突破，功率半导体行业将迎来新的发展契机。长期来看，AI服务器、智能电动车、光伏储能等新兴应用领域的崛起将推动行业的持续增。
（1）光刻技术经过多次迭代，现已发展至以浸没式和多重曝光技术为主的先进光刻阶段，芯片制程技术已突破至3nm以下。作为半导体制造中最关键的环节之一，光刻工艺包含底膜准备、涂胶、曝光和显影等多个步骤。光刻机经历了从接触式光刻机到当前的步进扫描光刻机的发展历程，主流光刻机技术采用了浸没系统、可编程光照及对准测量等多项高难度技术，并可通过多重曝光提升光刻精度。而当制程节点进入3nm以下，EUV光刻机成为必要设备，光源技术从g-line逐步发展至EUV，光刻精度也提升至3nm。
（2）全球光刻机市场持续扩张，ASML引领EUV技术推动半导体行业发展。全球光刻机市场在2023年规模达到271亿美元，预计2024年将增至315亿美元。ASML、Nikon和Canon三家公司垄断了全球光刻机供应市场，ASML凭借其EUV光刻技术占据绝对主导地位。光刻机的市场规模随着制程的降低而大幅增长，预计未来3nm至1nm的光刻机价值量将超过10亿元。2022年三家公司共出货551台光刻机，其中ASML占比63%。EUV光刻机价格高达17386万欧元，光刻机的技术升级为整个半导体产业链的高效率和高性能发展提供了支持。尽管光刻机在全球范围内需求强劲，国内的光刻机国产化率仍然较低，仅为2.5%。相关领域优质企业将迎来长期机遇。$中微公司(SH688012)$
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