华虹半导体表示，为抓住集成电路产业增长机遇并应对与之并存的挑战，将持续推进产能建设，加速工艺开发，努力将产品种类覆盖更加全面；同时，还继续密切关注终端市场趋势，推进多元化发展战略，将更多先进“特色 IC + 功率器件”工艺布局到“8 英寸+ 12 英寸”生产平台，为全球客户提供更全面、更优质的特色工艺晶圆代工技术与服务。
今年上半年，华虹半导体持续加大研发投入和提升专利储备数量来巩固核心竞争力。研发人员数量、研发投入金额、累计获授权专利数量等多维度的数据保持增长。其中，上半年累计研发投入达7.74亿元人民币，较去年同期增长15.35%，占营收比重升至11.50%；上半年新申请478项发明专利，新获得184项发明专利以及5项实用新型专利。
关于工艺平台的研发规划，华虹半导体表示，将继续推进嵌入式/独立式非易失性存储器在全新工艺节点上的研发，通过自主技术创新研发的NORD-Flash单元以及相关低功耗、超低漏电工艺不断迭代闪存工艺平台，满足市场上MCU等产品对超低静态功耗与芯片性能的双重需求，为客户在消费电子、汽车电子、工业控制、智慧医疗及物联网等领域提供高良率的优质芯片制造平台。
在模拟与电源管理平台，华虹半导体则会继续推进65/90纳米BCD工艺的持续优化与量产，为部分下游新兴消费领域增长的需求提供可靠优质的工艺生产能力。
除此以外，在功率器件领域，华虹半导体将持续迭代自主研发的新一代IGBT与超级结MOSFET工艺，使其器件在大电流、高电压、尺寸体积、可靠性等综合性能方面更具优势，也为国内新能源、汽车电子等领域未来的持续进步提供优质保障。
华虹半导体坚持“8 英寸+12 英寸”的发展战略，在今年上半年，公司加快无锡新12英寸产线的建设， 以期在2025年实现规模量产，并带动公司产能与产品组合的竞争优势提升。
华虹半导体位于无锡的第二条12英寸晶圆生产线2023年6月开工，项目规划月产能8.3万片，聚焦先进特色IC和高端功率器件，以及具备生产车规级产品能力的工艺制造平台。
最新发布的半年报显示，目前该项目的建设单位和工程研发团队正在细化并推进落实各关键节点，已于2024年4月完成主厂房结构封顶，比计划提前了整整2个月，今年第三季度开始进行设备搬入，预计今年第四季度实现通线试运行，并在2025年起释放产能。
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