科创板日报》10月21日讯（编辑 宋子乔） 日前，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》（以下简称方案），力争到2030年取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。
广东省这一行动方案涵盖从基础研究、技术攻关、中试转化、创新平台建设、产业集聚发展、领军企业培育到合作协同创新等多个方面。
光芯片关键材料、设备攻关被视作重点任务之一。
方案提出，加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造；
推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代等。
光芯片需求旺盛 国产厂商有望进入主流供应链
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