先进封装技术是半导体制造中用于提高芯片性能、减少尺寸、增加功能密度的重要手段。在先进封装过程中，光刻胶发挥着至关重要的作用。以下是光刻胶在先进封装中的应用情况：
1. 晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆切割前的工艺，包括扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圆级芯片封装（Fan-Out WLCSP）。在这些工艺中，光刻胶用于在绝缘层上绘制图案，进而使用这些图案来创建电镀层，并通过刻蚀扩散层来形成金属线路。例如，扇出型WLCSP的制程中，会使用光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形。
2. 2.5D和3D封装技术：这些技术用于提高芯片的集成度和性能，满足高性能计算、人工智能和数据中心的需求。在这些封装技术中，光刻胶同样用于图案化过程，以实现高密度的互连。
3. 扇出型封装（Fan-Out）：扇出型封装技术提高了I/O数量，并提供了更强的防护性能。在扇出型封装的RDL制造流程中，光刻胶被用于形成电路图案，这是通过在衬底上沉积铜种子层，涂布光刻胶，利用光刻设备图案化，然后通过电镀系统沉积铜金属化层来完成的。
4. 系统级封装（SiP）：系统级封装关注于封装内的系统实现，包括2.5D/3D FO、Embedded、2.5D/3D Integration等技术。这些技术中，光刻胶用于形成高精度的电路图案，以实现芯片间的高速互连。
5. 高温光刻胶：随着电子设备集成度的提高和减小整体尺寸的需求，市场对多级金属化的需求增加。高温光刻胶用于半导体和集成电路（IC）封装器件的制造，能够在高达500C的温度下稳定工作，具有光敏性和高分辨率。
综上所述，光刻胶在先进封装的多个环节中都是必不可少的材料，用于图案化过程，以实现高精度的电路互连和封装结构。随着先进封装技术的不断发展，对光刻胶的性能要求也在不断提高。
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