$古鳌科技(SZ300551)$  金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN 118843387 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。制造方法包括：于基底层上形成沿第一方向堆叠的存储叠层，存储叠层包括存储层；形成沿第一方向贯穿存储层的第一贯穿槽；以及采用包括SiH4和第一含氮反应物的第一气体，在第一贯穿槽的侧壁上形成第一氮化硅层。如此，在利用SiH4形成第一氮化硅层的过程中，SiH4对氧化的存储层起到较强的还原作用，存储层的性能得到改善，以提高半导体器件的写入阈值电压与擦除阈值电压之间的差值，进而提升半导体器件的电性。