国家信息光电子创新中心首款2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样，达到全球最高水平！！

武汉是中国光电子产业基地

全球最大的光通信研发生产基地

当前 武汉正抢抓未来产业发展机遇

助力中国光电子的创新发展实践

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从“独树一帜”迈向“国际引领”

追光者们 正一往无前！

《第一动力》

本期《第一动力》将走进武汉国家信息光电子创新中心。这个2017年组建的国家级创新平台，依托国内最大的光电子信息产业集群，肩负起了突破光电子信息关键核心技术的使命。

“追光”7年 突破技术瓶颈

以1.6Tb/s硅光芯片为代表的一系列创新成果实现率先突破，展现出硅光技术超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势，为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

这种芯片采用了硅基光子集成技术和与CMOS工艺兼容的方法，实现了高速传输、高度集成和高可靠性。同时还能通过无晶圆厂模式大规模生产，有效降低成本，助力我国高端光电子芯片的自主可控发展，缓解了高端芯片供应的“卡脖子”困境。

更令人振奋的是，首款2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样，这一里程碑式的突破，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径，更为湖北乃至全国服务国家战略贡献了重要力量。

王栋：与传统芯片不同，2Tb/s硅光互连芯粒是在芯片上面堆叠芯片，整个芯片的带宽比以前提升了50%以上，达到了全球最高水平。实际上，不管是1.6Tb/s 还是2Tb/s，都领先于当下市场需求，在独树一帜的光电子信息产业赛道，只有提前布局、掌握核心技术，才能在需求到来时掌握主动权。

来源：长江视点公众号，点击最下方”阅读原文”可跳转。

国家信息光电子创新中心建成覆盖光电子芯片设计、工艺、封测的中试平台，全面掌握III-V族、硅光和混合集成光子芯片的产品级研发能力，已具备III-V族高速激光器、探测器等研发中试和小批量能力；拥有混合集成自动化精密光耦合、3D打印光子连接和高精密贴片键合等特色封装能力。可提供光电子芯片产品IP转让、技术委托开发、封装测试代工、特种产品销售和初创企业孵化等各类服务。