随着硅材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料（如碳化硅、氮

随着硅材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料（如碳化硅、氮化镓）制造的功率半导体显示出比Si更优异的特性，正受到业界极大重视。
近年来，受电动汽车等下游市场推动，碳化硅（SiC）功率器件市场迈入上升周期，也因此大受市场追捧。从特性上看，相较于硅，碳化硅具备禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高、导热系数高等优异的物理性质。
碳化硅市场正处于高速迈进阶段，据TrendForce集邦咨询报告显示，碳化硅在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到91.7亿美金。