湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为湖南三安布局SIC产业的重要一环，其投产情况备受关注。今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。

全资子公司三安集成作为射频芯片研发、制造和服务公司，建立了自主工艺技术平台，与高校（中科）、通讯龙头企业（华为共同完成的项目“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在 5G 通信产业化应用”于近日荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。

在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发和产业化工作，与高校、通讯龙头企业协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器核心工艺技术，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了5G组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量出货

对于射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更高的要求，氮化镓作为第三代半导体材料具备相较传统硅基射频器件更好的高频特性，被业界认为是目前5G基站功放的最优解决方案。该项目成果即有效地满足了我国5G基站对高性能氮化镓功放的迫切需求，为我国在新一代移动通信技术领域的国际领先地位奠定了重要基础。

氮化镓、砷化镓射频芯片的制程研发和制造，于厦门和泉州布局了大规模射频芯片产业链，主营业务包括氮化镓射频功放代工、砷化镓射频功放代工、射频封测代工和滤波器产品，应用涵盖民用基站、智能手机、Wi-Fi和物联网等领域