$拓荆科技(SH688072)$  拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升了客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。拓荆科技经过10多年的技术积累，已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被国际厂商垄断的局面。拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。