Sic衬底目标，迈向超大尺寸

随着新能源汽车、光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业的快速发展，满足高功率、高电压、高频率等工作条件的碳化硅基器件的需求也突破式增长，其中上游关键材料碳化硅衬底显得尤为重要。业界指出，碳化硅衬底的尺寸越大，其面积也越大，意味着可以在单个衬底上制造更多的芯片，从而提高生产效率。同时，大尺寸衬底可减少边缘浪费，有助于降低单位芯片的成本。

从碳化硅衬底尺寸上看，4英寸衬底主要用于制造氮化镓射频器件等；6英寸衬底是目前导电型碳化硅市场的主流产品规格；8英寸衬底方面，Wolfspeed、英飞凌等行业龙头公司已成功研发并建设8英寸产品生产线。与6英寸衬底相比，8英寸衬底可以提供更高的能效和更低的成本。12英寸衬底方面，目前尚未广泛应用，业界称，未来随着技术的不断进步和成本的降低，12英寸有望成为碳化硅衬底的重要发展方向。

碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，不过大尺寸衬底的生产技术难度更高，需要先进的生产设备和技术支持，这也意味着需要更多的研发投入和生产成本。因此，企业在扩大产能和提高产品质量方面仍需不断努力。

随着碳化硅材料在新能源汽车、光伏、5G通信等领域的广泛应用，市场需求也将不断增长，为碳化硅衬底企业提供了广阔的发展空间。