中宏网股票11月15日电近日，半导体领域迎来了一项具有里程碑意义的重大突破，第三代半导体材料碳化硅衬底龙头天岳先进（688234.SH），于2024德国慕尼黑半导体展览会这一全球极具影响力的行业盛会上，首次推出了12英寸（300mm）碳化硅衬底产品，正式宣告超大尺寸碳化硅衬底时代的大幕拉开。这一创新产品的亮相，不仅一举刷新了行业标准，为碳化硅行业发展树立了新的技术典范和标杆，更进一步彰显了天岳先进在碳化硅衬底技术创新领域的深厚底蕴与领先实力。
作为全球影响力最大的半导体展会之一，德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）于11月12日盛大开幕。此次展会共吸引了来自30多个国家和地区的超500家企业参与。11月13日，天岳先进在展会上发布了全球首枚12英寸碳化硅衬底，引来了博世、英飞凌、ST、Soitec、奔驰、宝马、爱思强、环球晶圆等国际著名公司的广泛关注和认可，成为本届展会的一个爆点。
继2023年6月29日在上海Semicon China会议上首次发布全球首枚8英寸液相法制备的低缺陷碳化硅衬底后，天岳先进本次在欧洲Semicon Europa展览上再次发布全球首枚12英寸碳化硅衬底，让业内一直认为不可能的事情成为现实，这一突破标志着天岳先进在合成材料、晶体生长、衬底加工、缺陷管理以及设备制作等方面均达到了国际领先水平。更加奠定了天岳先进的行业领先地位。
12英寸超大尺寸＋液相法＋P型衬底齐头并进，全方位尖端技术引领行业潮流
业界普遍认为，12英寸与液相法都是碳化硅衬底发展的主流技术路线，代表着SiC衬底最尖端的未来技术。一方面，“尺寸越大，单位芯片成本越低”是SiC衬底发展中公认的降本路径，目前产业界碳化硅晶圆尺寸正在快速从6英寸向8英寸跃迁，而12英寸这样的超大尺寸更是代表了未来的方向；另一方面，进一步来看，在前沿的碳化硅发展路线中，除碳化硅衬底持续扩径外，还有用液相法制备高品质P型碳化硅衬底，从长远来看，液相法是制备高质量SiC晶体的一种有前途的方法。低温溶液生长法由于生长过程具有更好的可控性和稳定性，故而可以提高良率，进一步有效降低衬底晶片成本。在业界，液相法碳化硅单晶生长一直被冠以“皇冠级难度”的称号。
本文作者可以追加内容哦 !
