$赛腾股份(SH603283)$  三星电子有限公司周二宣布，计划到 2030 年投资约 20 万亿韩元，在器兴园区内建设新的半导体研发综合体 (NRD-K)，占地面积约 109,000 平方米。该综合体还将包括一条研发专用生产线，计划于 2025 年中期投入运营。

三星电子目前在天安和温阳园区运营封装生产基地。由于持续的设施投资，温阳园区已达到饱和，促使该公司考虑在天安建立一条用于 HBM 大规模生产的新包装线。天安堆叠工艺的扩张与HBM DRAM的产能成正比。天安工厂的新生产线预计将生产最新的 HBM，包括第 5 代 (HBM3E) 和第 6 代 (HBM4)。