中芯国际取得一种有源区隔离测试结构及形成方法、半导体器件专利


金融界
2024-11-2715:02金融界网站官方账号
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司取得一项名为“一种有源区隔离测试结构及形成方法、半导体器件”的专利，授权公告号 CN 113284879 B，申请日期为 2020年2月。
本文源自金融界
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