$三超新材(SZ300554)$  

混合键合技术主要需要以下设备和原料：

设备

• 键合机：如芯慧联新推出的d2w混合键合设备siriusrt300及w2w混合键合设备canopusrt300，是实现芯片或晶圆键合的核心设备，能在高精度对准下完成大面积晶圆数十亿连接点的键合 .

• 化学机械平坦化设备（CMP）：用于对晶圆表面进行平坦化处理，以保证键合表面的平整度和光洁度，满足混合键合对表面质量的严格要求.

• 光刻设备：通过光刻工艺可在晶圆表面形成精确的图案和电路结构，确定芯片或晶圆上的键合区域、电极位置等，为后续键合提供基础。

• 蚀刻设备：可选择性地去除晶圆表面不需要的材料，形成特定的形状、凹槽或通道等，以满足不同的键合需求，如制作铜互连结构等。

• 清洗设备：在键合前对晶圆和芯片进行彻底清洗，去除表面的杂质、颗粒和污染物，防止其影响键合质量和性能，保证键合的可靠性和稳定性.

原料

• 晶圆：作为键合的基础材料，通常采用硅晶圆，此外还有如碳化硅、氮化镓等化合物半导体晶圆，不同材料的晶圆具有不同的物理和电学性能，可根据具体的应用需求选择。

• 金属材料：常见的有铜、铝等，用于形成金属互连结构，实现芯片之间的电气连接，其中铜具有较低的电阻和良好的导电性，可提高信号传输速度和降低功耗 .

• 介电材料：如二氧化硅等，用于隔离不同的金属层或芯片层，防止短路和信号干扰，同时也参与键合过程，通过介质层之间的化学键合实现芯片的稳固连接 .

• 光刻胶：一种感光材料，用于光刻工艺中，通过曝光、显影等步骤将设计好的图案转移到晶圆表面，从而确定芯片的结构和功能区域。