11月23日,根据集微网消息,美国即将公布限制中国科技发展的新一轮出口管制措施,预计将有约 200 家中国芯片公司被纳入贸易限制清单,禁止美国多数设备供应商向这些企业出口商品。与此同时,有关限制高带宽存储(HBM)出口中国的规定,预计也将在12月发布,HBM 作为AI关键硬件之一,该规定指向更广泛地限制中国 AI产业发展。

美方近年来多轮制裁中国芯片产业,每一次对华核心科技的重大制裁都快速推动了中国半导体产业的巨大进步,为半导体行业的自主可控创造了广阔发展机遇。目前美系半导体设备厂商AMAT、Lam Research、KLA等在刻蚀、薄膜沉积、量检测、离子注入等关键前道设备领域均接近垄断地位,品类主要覆盖先进制程。本轮涉及范围较广的出口限制措施若出台,国内芯片厂商获得上述美系设备的难度将进一步提升,倒逼相关国产设备加速替代。

当前,半导体底层技术的自主可控已形成产业链共识。过去几年的国产替代虽取得很大成效,但在产业链最上游的核心设备及零部件、决定先进制程的光刻机、影响AI芯片性能升级的核心硬件GPU、HBM等领域,依然有较大技术代差。新一轮技术封锁,将倒逼国产替代进程再次提速,自主可控迈入新阶段。

一、设备方面,若制裁措施限制相关半导体设备出口,利好国内光刻机等半导体核心设备自主可控方向,刚刚面临0-1突破的光刻机,涉及关键零部件(光学系统、物镜系统、双工件台等)相关公司未来10年的增长机遇不容小觑,国产光刻机有望成为半导体设备中最锋利的矛。

二、AI方面,此前对华制裁主要针对GPU产品,若本次制裁限制HBM的出口,HBM市场目前被SK海力士、三星与美光垄断,国产化率极低,短期或将影响国内人工智能产业配套,中长期将推动HBM国产化加速,国内先进存储迎来战略机遇。

三、半导体自主可控从被动阶段向主动阶段过渡,支撑上游晶圆制造端产能扩张。ST(意法半导体)宣布“China for China game plan”,计划在2025年底在中国本土生产40nm MCU,海外重要半导体大厂认为在中国进行本地制造对其提升竞争地位至关重要。“China for China”(ST战略)、“local for local”(SMIC战略)等将加速成熟芯片的本地化导入,缓解市场对成熟制程扩产的担忧,不仅要实现进口替代,将来更需要走出去。半导体有望由“受限”走向“自强”,自主可控有望加速。

与此同时,先进封装超越摩尔定律约束,出口管制加码背景下有望成为算力芯片重要突破口。随着CoWoS技术的迅速发展,作为提升芯片性能的另一利器,先进封装扩产处于加速节点,对先进设备及材料的需求大幅提升。摩尔定律驱动下,芯片性能提升主要依赖前道制程微缩实现,前道制程微缩带动的芯片性能提升的投入产出比日益降低。与传统封装相比,先进封装后道工艺前道化,增量工艺来自于刻蚀、薄膜沉积、键合等前道设备,上述领域设备厂商有望受益于国内先进封装扩产。

全球半导体行业正在经历一场深刻的变革,一些国家和地区推行“小院高墙”的出口管制策略,对半导体供应链进行区域割裂。面对外部压力,中国本土设备、零部件及材料制造商迎来了前所未有的发展机遇。在政策保障、资金与人才集聚下,供应链协同攻关,高强度研发投入,产业资源优化整合……可以预见的是,中国的半导体设备及材料行业终将迎难而上,把握重大发展机遇,实现技术追赶和代差收敛,为提升全球竞争力、保障供应链安全奠定坚实基础。

 

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