在美拟出台新一轮对华限芯令背景下，新华三芯片封装技术获得重大突破！能够实现节省封装尺寸，提高芯粒单元之间的隔离度，提升互联速率。金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，新华三半导体技术有限公司申请一项名为“埋入式芯粒堆叠的封装结构、芯片封装方法”的专利，公开号CN 119050079 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种埋入式芯粒堆叠的封装结构、芯片封装方法，封装结构包括：晶圆载板、N个第一芯粒单元、M个第二芯粒单元；N和M均为大于或等于1的整数；晶圆载板内部蚀刻有N个腔体；N个第一芯粒单元分别埋入N个腔体；第一芯粒单元通过设置在表面的微金属凸块与晶圆载板中正对腔体的至少一个硅通孔电性连接；第二芯粒单元堆叠在晶圆载板之上，第二芯粒单元通过设置在表面的微金属凸块与晶圆载板的至少一个硅通孔电性连接。能够实现节省封装尺寸，提高芯粒单元之间的隔离度，提升互联速率。