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一种铜锰镓锗精密电阻合金及其制备方法……
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申请号……
2007100657263
申请日期
2007-03-19
公布/公告号
CN100478470C
公布/公告日期
2009-04-15
发明人
黄炳醒,万吉高,张瑞华,雷春明,刘雄,武海军
专利申请人
贵研铂业股份有限公司
专利代理人
赛晓刚
专利代理机构
昆明正原专利代理有限责任公司
专利类型
发明专利
主分类号
C22C9/00(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I
住所
云南省昆明市高新技术开发区昌源北路(贵研铂业股份有限公司)
摘要
本发明是一种铜锰镓锗系列精密电阻合金,成分(重量比)为7~12%Mn,6~9%Ga,1~3%Ge,余量Cu,还可以加入Ni、Re、Al、In等元素中的一种或几种,但这些添加元素的总量不应超过3%。这类合金在-60~125℃温度范围内的平均温度系数小,对铜热电势小,抗拉强度达600N/mm2以上。合金的电性能稳定,具有良好的加工性能。
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