HBM高带宽存储器的生产流程、设备和各个环节所需要的原材料如下:
生产流程:
1. 前端晶圆制造加工:包括晶圆的制备和加工。
2. 后端Bumping、Stacking和KGSD测试环节:其中TSV(硅通孔)技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺。
• TSV工艺分类:依据TSV通孔生成的阶段,TSV工艺可以分为Via-First、Via-Middle和Via-Last。
设备:
1. TSV设备:用于在硅芯片内部钻孔形成垂直贯通的电极。
2. 检测设备:用于检测HBM生产过程中的各个环节。
3. 赛腾股份:收购日本企业,供应HBM设备。
4. 亚威股份:持股韩国企业,供应HBM设备。
原材料:
1. 电镀液、前驱体:用于TSV工艺中。
2. IC载板:作为半导体原材料之一。
3. GMC封装材料:HBM必备封装材料,全球只有三家量产,华海诚科是其中之一。
4. Low-球形氧化铝:GMC核心原料,壹石通是核心供应商。
5. Low 球硅和球铝:联瑞新材已小批量供货。
6. 环氧树脂:宏昌电子提供,用于HBM封装。
7. EMC(Epoxy Molding Compound,环氧树脂模塑料):用于MR-MUF工艺中,作为主要间隙填充材料。
其他相关信息:
• 混合键合工艺:结合了介电键合和金属互连,允许在硅晶片或芯片之间建立永久电连接,而无需焊料凸块。
• MR-MUF工艺:主要通过回流焊将多个芯片粘合在一起,并在芯片之间使用液态EMC材料进行间隙填充。
以上是HBM高带宽存储器的生产流程、所需设备和原材料的详细概述。
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