赛微电子的光刻机型号主要包括DUV光刻机和EUV光刻机。赛微电子不仅是光刻机的使用者,同时也是光刻机厂商的MEMS透镜部件供应商。其境内外产线根据生产制造需要持有和继续采购对应型号的光刻机12。
光刻机的具体型号和用途
赛微电子的光刻机型号包括DUV光刻机和EUV光刻机。DUV光刻机主要用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片,而EUV光刻机则用于制造更先进的芯片,如5纳米芯片。这些光刻机在芯片制造过程中起着关键作用,确保了芯片的精度和性能34。
光刻机的技术参数和应用场景
DUV光刻机:光源波长为193纳米,分辨率小于或等于65纳米,套刻精度小于或等于8纳米。这种光刻机主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片,可能需要通过多重曝光技术来实现更精细的工艺节点3。
EUV光刻机:采用极紫外线光源,具有更高的分辨率和更小的特征尺寸,适用于制造5纳米及以下工艺节点的芯片。EUV光刻机的使用使得芯片制造更加高效和精确4。
综上所述,赛微电子的光刻机型号多样,涵盖了DUV和EUV两种类型,适用于不同工艺节点的芯片制造需求。
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