2024年10月27日 

近日，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）在国内首次采用坩埚下降法（VB）生长了3英寸氧化镓单晶，这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破，标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步，为国内半导体材料的产业化注入了新的活力。

据了解，富加镓业始终坚持产业化导向，曾先后突破导模法（EFG）6英寸导电型、绝缘型氧化镓衬底生长技术及EFG“一键长晶”装备等。此次他们基于模拟仿真技术，成功研制了VB法氧化镓长晶装备，并实现了3英寸氧化镓单晶的成功生长。VB法生长氧化镓晶体无需使用铱金，大大降低了生长成本。同时，生长过程温度场均匀，温度梯度较小，更易实现大尺寸、高质量氧化镓晶体的生长。此外，VB法生长过程稳定，更适合自动、规模化生产。展望未来，富加镓业将继续加大研发投入，推动氧化镓单晶技术的进一步优化和应用拓展。

VB法不使用贵金属铱坩埚，无需考虑坩埚的氧化损耗，与常见使用铱坩埚的生长方法相比，该成本最高可降低至1/50。