2024年功率半导体国产化率提升到了15%-20%， 其中IGBT/碳化硅功率器件国产化率约为35%，MOSFET国产化率约为15%。

新洁能在技术和产品层面主要对标国际一流厂商英飞凌等，其 MOSFET、IGBT 等产品的参数性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相当，部分产品已可实现大量替代，比如公司已推出的车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT 等产品，能够全面对标国际一线大厂主流产品。新洁能已推出200余款车规级MOSFET产品，部分产品供不应求。

国产替代空间足够大，同时也看到部分产品与国外还有一定差距，但是追赶的脚步并不慢，知耻而后勇。