真正的兄弟，就是用行动在相互信任！露笑科技，已经逐步量产第三代半导体材料碳化硅（国内首家量产6英寸导电性衬底），叠加算力核心材料的铜缆高速连接材料！
碳化硅（SiC）的核心价值主要体现在以下几个方面：
• 高功率、高电压、高频率的需求满足：碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。
• 耐高压特性：碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8-10倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。这些特性使得碳化硅器件在耐高压应用中表现出色，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率。
• 耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度。
• 耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作，这对于需要在高温环境下稳定运行的设备来说至关重要。
• 能效提升和成本降低：碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。
• 产业链价值：碳化硅产业链中，衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。
• 新能源汽车应用：随着新能源汽车的发展，对功率器件需求量日益增加，碳化硅器件在新能源汽车产业中主要应用在电机控制器（电驱）、车载充电机OBC、DC/DC变换器以及充电桩，碳化硅器件相比硅基器件有更优越的物理性能，体积小，性能优越，节能性强。
• 光伏逆变器应用：碳化硅功率器件能提高光伏逆变器转换效率，减少能量损耗。使用SiC-MOS为基础材料的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上、能量损耗降低50%以上、设备循环寿命提升50倍。
• 新基建领域的应用：碳化硅应用涵盖了新基建涉及的绝大部分领域，包括5G基建、新能源汽车充电桩、大数据中心、工业互联网等，这给国内以基本半导体为代表的碳化硅企业带来巨大利好。
• 全球市场增长：受汽车应用的强劲推动，尤其是在EV主逆变器方面的需求，碳化硅市场高速增长，全球碳化硅功率器件市场规模增长迅速。
这些核心价值使得第三代半导体的碳化硅在现代工业和高科技领域中扮演着越来越重要的角色。
而露笑科技在第三代半导体材料碳化硅领域的地位较为显著，具体表现在以下几个方面：
• 国内首家量产能力：露笑科技是国内首家具备量产6英寸导电型碳化硅衬底能力的公司，这标志着公司在碳化硅衬底生产方面取得了重要进展。
• 技术布局与研发进展：公司从2018年开始组建碳化硅晶体炉制造攻关小组，2019年研制成功生长炉，并在2020年通过定增加码碳化硅业务。目前已掌握4英寸、6英寸导电型碳化硅衬底片的长晶工艺以及切磨抛加工工艺。
• 产业链布局：露笑科技积极布局碳化硅产业链，与上游原材料供应商建立长期合作关系，并不断引进和研发新的生产设备和技术，还向下游应用开发领域拓展，推动碳化硅在新能源汽车、5G通讯、光伏发电等领域的应用。
• 市场需求与产业化前景：随着新能源汽车的发展，碳化硅作为第三代半导体材料，市场需求有望大幅增长。露笑科技预计电动汽车的爆发点在2022年，看好碳化硅的市场前景。
• 投资计划与产能扩张：露笑科技与合肥市长丰县人民政府签署了百亿元项目，共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园。项目总投资100亿元，其中一期投资21亿元，首次投资3.6亿元，用于建设100台的6英寸碳化硅规模化产线，以提高生产能力和良品率。
• 碳化硅长晶设备研发：露笑科技已成功研发出碳化硅自主可控长晶设备，并在2019年开始对外供货。公司在碳化硅长晶炉及长晶环节关键技术方面取得了突破，包括6英寸石英管式碳化硅晶体生长炉开发、大尺寸碳化硅单晶制备相关理论的研究等。
• 碳化硅衬底片供应商：露笑科技已经成为国内排名靠前的导电型碳化硅衬底片供应商，未来将大幅提升产能，同时预研、储备8英寸衬底片技术。
综上所述，露笑科技在碳化硅领域具有较强的技术实力、产业链布局和市场前景，是国内碳化硅产业的重要参与者和推动者。
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