低放射球形氧化铝,技术壁垒高,目前主要是日本的氧化铝企业能够生产,可用于高端芯片HBM芯片的封装。

    低放射球形氧化铝,是一种低射线指标的球形氧化铝材料,主要作为功能填料用于高性能或具有特殊用途的芯片封装场景,属于先进芯片高端封装材料。对球形氧化铝的 Low-射线的控制,需要将放射性元素铀(U)和钍(Th)的含量降至 ppb(十亿分之一)级别,技术壁垒高、工艺难度大,且需兼顾形貌控制等其他多项指标,在高带宽存储器(HBM)封装技术中,Low-射线球形氧化铝作为关键填充材料能够减少信号串扰、提高信号完整性、保障芯片的高性能运行。根据astute analytica的预测,2021-2027年HBM总市场规模的年复合增长率为31.3%,测算出Low-球硅到2025年在GMC领域的市场空间将分别达到87.31亿元,为2023年的2.28倍。

   璞泰来开发出低放射球形氧化铝,对公司对国家都是不一般的利好!

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