生产芯片需要的设备包括：
光刻机：用于在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。
ICP等离子体刻蚀系统：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。
反应离子刻蚀系统：平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。
离子注入机：对半导体表面附近区域进行掺杂。
单晶炉：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
晶圆划片机：把晶圆，切割成小片的Die。
晶片减薄机：通过抛磨，把晶片厚度减薄。
气相外延炉：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
分子束外延系统：提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
氧化炉（VDF）：提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，为半导体材料进行氧化处理，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。
低压化学气相淀积系统：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。
等离子体增强化学气相淀积系统：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。
磁控溅射台：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。
化学机械抛光机：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。
引线键合机：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。
探针测试台：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。
以上这些设备共同协作，完成了从硅片处理、图案转移、掺杂、薄膜沉积、刻蚀、测试等一系列复杂的工艺流程，最终生产出高性能的芯片。
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