其自主研发的巨量转移技术可实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成！
产品研发成果丰富：成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏nStarⅢ，该屏采用LTPS-TFT玻璃基驱动背板，像素间距0.078mm，分辨率360×480，采用全倒装无衬底LED像素发光单元，屏幕峰值亮度＞1500nits。其自主研发的巨量转移技术可实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。
车用光源技术先进：开发出万级像素数字化大灯Micro LED光源，采用共晶键合技术将微米级Micro LED蓝光芯片阵列整合集成到CMOS控制电路上，可实现单个像素独立控制。如一款产品集成了52800颗可独立控制的LED发光单元，像素间距30微米，发光亮度超过30mnits。
拓展产品应用领域：推出了0.39寸单绿色Micro LED微显示屏，针对AI眼镜市场设计，其Micro LED技术的超高亮度、极小尺寸和耗特性，契合AI眼镜轻便、全天候使用的需求。
封装技术优势明显：基于扇出封装技术开发出透明衬底mip（Micro LED in Package）器件，通过巨量转移技术排列芯片阵列，利用重布线工艺放大芯片电极引脚，切割出单像素的分立器件，具有“更小、更亮、更黑、更薄、更广”等特点。
国星光电子公司研究的芯片主要有以下几种：
1、显示led芯片：国星半导体开发的应用于MiniLED显示器件的系列产品。该系列产品通过优化LED芯片外延结构，采用新型散热和抗静电芯片结构设计，在保证高亮度、高清晰度显示性能的条件下，大幅提升了产品的可靠性和使用寿命，能稳定应对各种极端场景，已广泛应用于国星光电MiniLED直显与背光显示产品。
2、家电面板指示led芯片：国星半导体针对智能家电市场需求开发的系列产品，有效破解了LED芯片发光效率低、电流扩散不均匀等方面的关键核心技术难题，实现了高光效、抗干扰、高可靠性等优势，能适应各种复杂电磁环境，已成功应用在国星光电智能家电用显示模块等产品中。
3、Micro LED芯片：国星半导体开发了面向于P0.3间距及面向P0.1间距的Micro LED芯片系列，可用于Micro LED显示屏等产品。
4、氮化镓半桥模块芯片：风华芯电开发的基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块，采用自主研发的扇出面板级封装形式，通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管和硅芯片的凸点结构，借助再布线层的镀铜工艺实现互连，具备体积小、性能优、可靠性高、综合成本低等优势，可应用于快充等消费电子市场。
5、碳化硅（SiC）功率模块芯片：风华芯电推出的产品，其中SiC MOSFET功率模块具有高温、高频、高阻断电压、低损耗、开关速度快等特点，可满足传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域应用需求，实现系统的小型化和低损耗。
都不懂这个意义有多大！深挖就知道和华为很多东西都是保密的！
市场唯一有实力和华为联合创新j研究的！
市场唯一有实力和华为联合创新研究的，苹果也在研究，但国星一定是嘴深入的！
而且有消息称：华为最新ai眼镜5月亮相！
到时候就跟赛力斯智驾一样，吊打一众新能源智能的！
第二支妖股预判$美格智能(SZ002881)$，时间会证明我的判断！
本文作者可以追加内容哦 !
