多晶硅和单晶硅皆为硅的不同形态，是重要半导体材料，主要区别如下：

晶体结构

- 单晶硅：具有完整的原子晶格排列，原子在三维空间呈规则有序周期性排列，是单一的晶体结构。
- 多晶硅：由许多微小的单晶体颗粒随机取向、聚合而成，这些小单晶体间存在晶界，原子排列方向不一致。

制造工艺

- 单晶硅：通常采用直拉法（CZ 法）或区熔法（FZ 法）制造，以高纯度多晶硅为原料，在单晶炉中融化后，通过籽晶引晶、生长等环节，形成单晶体。
- 多晶硅：制造方法有改良西门子法、硅烷法等。改良西门子法是在高温下，让氢气与三氯氢硅在硅棒上发生反应，硅沉积形成多晶硅。

物理性质

- 外观：单晶硅表面光滑，有金属光泽；多晶硅则呈银灰色，表面较粗糙，有颗粒感。
- 电学性能：单晶硅原子排列规则，电子迁移率高、电阻率均匀，电学性能稳定且优越；多晶硅因晶界存在，电子散射严重，电学性能不如单晶硅。

应用领域

- 单晶硅：广泛用于集成电路制造，如计算机 CPU、内存芯片等，也是高性能太阳能电池的主要材料，转换效率高。
- 多晶硅：大规模应用于太阳能光伏产业，还用于制造电子器件，如半导体探测器、传感器等。

成本价格

- 单晶硅：生产工艺复杂，对设备和技术要求高，制造成本高，价格相对昂贵。
- 多晶硅：生产工艺相对简单，成本较低，价格比单晶硅便宜。