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刻蚀机与光刻机主要有以下区别：

功能不同

• 光刻机：主要作用是把设计好的电路图案通过光照等方式，精确地投影到硅片等衬底材料上，相当于在硅片上“绘制”出精细的电路图形，是芯片制造前期确定电路图案的关键设备。

• 刻蚀机：是在光刻机完成图形投影后，按照光刻机绘制的图案，通过化学或物理的方法，将不需要的材料去除，从而把电路图案真正地雕刻、塑造出来，实现芯片电路结构的立体化构建。

工作原理差异

• 光刻机：利用光学系统，像极紫外光（EUV）光刻机是通过发射极短波长的光线，经过复杂的光学镜片组等进行聚焦、投影，配合光刻胶等材料对光线的响应特性，来实现高精度图案的转移，对光学精度、稳定性要求极高。

• 刻蚀机：基于化学刻蚀（比如利用特定的化学气体与材料发生反应来去除多余部分）和物理刻蚀（如通过离子束轰击等物理手段去除材料）原理，或者是二者结合的方式，精准地对相应材料进行去除加工，来形成所需的电路形貌。

工艺环节位置不同

• 光刻机：处于芯片制造工艺流程较前端的位置，先进行电路图案的光刻绘制，后续才会基于光刻的结果开展刻蚀等其他工序。

• 刻蚀机：在芯片制造工序中紧随光刻机之后工作，是对光刻后的图形进一步加工处理，使其成为最终符合芯片设计要求的立体电路结构的重要一环。

技术难度侧重点不同

• 光刻机：重点在于光学系统的高精度设计、制造以及光源等关键技术的突破，像EUV光刻机需要能产生极短波长且高能量的光源，并且要保证复杂光学系统的精度达到纳米甚至亚纳米级别，技术门槛极高。

• 刻蚀机：更侧重于对刻蚀工艺的精准控制，比如不同材料、不同图形下如何精准选择化学刻蚀剂、控制刻蚀速率、保证刻蚀的各向异性（垂直方向和水平方向刻蚀效果的精准控制）等，以实现高质量、高精度的电路成型。